肖特基二极管结构符号特性曲线

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极,以N型半导体B为负极,利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。   因为N型半导体中存在着大量的电子,贵金属中仅有极少量的自由电子,所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然,金属A中没有空穴,也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A,B表面电子浓度表面逐渐降低,表面电中性被破坏,于是就形成势垒,其电场方向为BA。但在该电场作用之下,A中的电子也会产生从AB的漂移运动,从而消弱了由于扩散运动而形成的

2009-03-21

肖克利二极管(四层二极管)结构原理简介

肖克利二极管是因由肖克利(威廉布拉德福德肖克利,1910年- 1989年,美国物理学家)发明而命名的,是一种四层的PNPN元件,几乎和SCR(晶闸管)一样,但是肖克利二极管与SCR的显著不同是没有闸极(控制极),故肖克利二极管也有四层二极管之称。 肖克利二极管有以下特性: ( 1 )当逆向偏压小于崩溃电压时,肖克利二极管不导电,当逆向电压超过逆向崩溃电压时,大量电流通过二极管,若不加以限制将会被烧毁。 ( 2 )当正向偏压低于顺向转态电压 V BR ,通过之电流几乎为零。 ( 3 )正向电压达到

2009-03-21

HZ系列、RD系列稳压二极管参数 型号 稳压值(V) 稳定电流(mA) 功率(mW) HZ4B2 3.8-4.0 5 500

2009-03-02

红外发光二极管基本特性

1.电流电压特性   红外发光二极管其电气的电路符号及特性曲线,如图1所示。阳极(P极)电压加正,阴极(N极)电压加负,此时二极管所加之电压为正向电压,同时亦产生正向电流,提供了红外发光二极管发射出光束的能量,其发光的条件与一般的发光二极管(LED)一样,只是红外线为不可见光。   一般而言砷化镓的红外线发光二极体约须1V,而镓质的红色发光二极管切入电压约须1.8V;绿色发光二极管切入电压约须2.0V左右。当加入之电压超过切入电压之后,电流便急速上升,而周围温度对二极管的切入电压影响亦很大,当温

2009-03-02

用于交流市电的LED指示灯电路

LED(发光二极管)体积小,光效高,用作市电指示灯是不错的选择。但一些初学者往往按照常规方法接于交流电回路中很容易被损坏,因为没有注意到发光二极管所承受的反向电压,结果导致被击穿损坏。 如上图所示的两种电路,是分别工作于220V与110V两种交流电压的参数,LED的平均工作电流在10毫安左右,适合任何LED使用。 电路中的二极管D1(1N4148)有两个作用,一是给电容C1提供一个半周的充放电回路(另一半周通过LED),二是为防止LED1不被反向电压击穿。可见如果将D1也换成LED,电路耗电不会

2008-11-28

双向触发二极管典型应用电路

双向触发二极管是一种压敏负阻器件。在一般情况下,双向触发二极管呈高阻截止状态,当外加电压(不分正负)的幅值大于双向触发二极管的转折电压时,它便会击穿导通。 1.双向触发二极管在可控硅调压电路中的应用 双向触发二极管触发双向可控硅的调压电路是触发二极管的一种典型应用电路。图14-41所示的就是采用这种电路构成的交流调压电路。 当电路接通交流市电后,交流市电便通过负载电阻R1、电位器RP 、电阻R2 向电容器C充电只要电容器C上的充电电压高于双向触发二极管的转折电压.电容器C 便通过限流电阻R1以及

2008-11-19

双向触发二极管结构、特点与应用

在电子镇流器、电子调光等电路中时常可以见到双向触发二极管元件。双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的,常用来触发双向晶闸管。   双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件,等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。   当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时,呈高阻态;当 UUbo 时进入负阻区。同样,当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时,管子也能进入负阻区。   转折电压的对称性用△Ub表示 △Ub=Ub

2008-11-13

1.正、负极的判别 有的变容二极管的一端涂有黑色标记,这一端即是负极,而另一端为正极。还有的变容二极管的管壳两端分别涂有黄色环和红色环,红色环的一端为正极,黄色环的一端为负极。   也可以用数字万用表的二极管档,通过测量变容二极管的正、反向电压降来判断出其正、负极性。正常的变容二极管,在测量其正向电压降时,表的读数为 0.58~0.65V;测量其反向电压降时,表的读数显示为溢出符号1。在测量正向电压降时,红表笔接的是变容二极管的正极,黑表笔接的是变容二极管的负极。   2.性能好坏的判断 用指针

2008-11-13
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