晶体管是以半导体材料制作的二极管、三极管、场效应管、晶闸管等电子元件，本页面主要用于查询这些元器件的基本参数，部分元件显示封装效果图。

两种查询方式

输入型号查参数：可以输入完整型号例如“1N4007”直接查看参数，或者输入型号的一部分例如“1N400”则显示一个列表，点击某个型号查看参数。

输入参数查型号：主要用于元件选型，先选择好晶体管元件类型，电压值和电流值输入一项或两项，点击查询即可。

示例：（点击器件名称查看参数）

晶体二极管
半导体两端器件，它只往一个方向传送电流，即单向导电特性。晶体二极管具有一个PN结，材质分为锗或硅以及化合物半导体。晶体二极管在电路中常用作整流、稳压、光电转换、检波等用途。

晶体闸流管
简称晶闸管，亦称可控硅，是一种只有导通和关断两种状态的大功率半导体器件，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。晶闸管元件分为单向晶闸管和双向晶闸管，都是三个电极。
单向晶闸管：具有三个PN结的四层半导体结构（PNPN），三个电极分别是：阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。
双向晶闸管：由NPNPN五层半导体材料构成，相当于两个单向晶闸管的反向并联，但只有一个门极。三个电极分别是：第一阳极（T1）、第二阳极（T2）和门极（G）。

晶体三极管
半导体三端器件，也称双极型晶体管，具有电流放大作用，在电路中主要用于电信号放大。晶体三极管由两个相邻的PN结构成，按其排列方式分为PNP型和NPN型，三个引脚分别是基极（B）、发射极（E）、集电极（C）。晶体三极管是电子设备电路中的核心器件。

场效应晶体管
场效应晶体管分为结型（J-FET）、绝缘栅型(MOS-FET)两大类。
按沟道材料：结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。
按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管有3个电极：栅极（G）、漏极（D）、源极（S）。