MJE13003高反压大功率开关三极管

MJE13003是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管,硅NPN型,采用TO-126封装,它的外形和管脚排列如下: MJE13003主要参数 集电极-基极电压VCBO 700 V 集电极-发射极电压VCEO 400 V 发射极-基极电压VEBO 9V 集电极电流IC 2.0 A 集电极耗散功率PC 40 W 最高工作温度Tj 150 C 贮存温度Tstg -65-150 C 集电极-基极截止电流ICBO (VCB=700V) 100 A 集电极-发射极截止电流ICEO (V

2009-05-07

3DD13005是高反压大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造,开关速度快,耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

2009-05-07

3DD13003高反压开关三极管

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管,主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13003主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

2009-05-07

MJE13002(3DD13002)开关三极管简介

MJE13002是高压高速开关三极管,国产同类型号为3DD13002。它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器,以及其它开关电路中。MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图: 尺寸单位:毫米 管脚排列 1脚:发射极; 2脚:集电极; 3脚:基极 MJE13002(3DD13002)主要参数 V CBO =600V V CEO =400V V EBO =7V I C =1A P C =1.2W T j =150℃ T STG =-55~150℃ I CBO =

2009-05-07

3DD13001 小功率高压高速开关三极管

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13001主要参数: 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

2009-05-07

MJE13001小功率高压高速开关三极管

MJE13001是小功率高压高速开关三极管,典型应用:荧光灯电子镇流器。它采用TO-92封装,管脚排列如图: MJE13001主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =500V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =0.3A 耗散功率P C =7W 结温Tj=150℃ 贮藏温度T STG =-50~150℃ 直流放大系数H FE =8~40

2009-05-07

高频三极管2SC3358管脚排列、参数

2SC3358是NPN型小功率高频三极管,采用TO-50四脚微带封装。它的管脚排列如下: 从长脚开始,顺时针数1234 1脚:集电极; 2脚:发射极; 3脚:基极; 4脚:发射极 2SC3358参数 集电极-基极最高耐压V CBO =20V 集电极-发射极最高耐压V CEO =12V 发射极-基极最高耐压V EBO =3V 集电极最大允许电流I CM =100mA 最大允许功耗P CM =250mW 最高结温Tj=150℃ 特征频率fT=7.0GHz 噪声系数NF=2.0dB (VCE=10V

2009-05-05

9014三极管参数、管脚图

9014三极管(TO-92封装)管脚图 1、发射极 2、基极 3、集电极 9014三极管参数 集电极最大耗散功率P CM =0.4W(Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.1A 集电极基极击穿电压BV CBO =50V 集电极发射极击穿电压BV CEO =45V 发射极基极击穿电压BV EBO =5V 集电极发射极饱和压降V CE (sat)=0.3V (I C =100mA; I B =5mA) 基极发射极饱和压降V BE (sat)=1V (I C =100mA; I B =

2009-05-04
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