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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;

2009-5-22

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而

2009-3-8

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ,简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型晶体管。 特点: 输入电阻高,可达10 7 ~ 10 15 ,绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低,热稳定性好,工艺简单,易集成,器件特性便于控制,功耗小,体积小,成本低。 分类: 根据材料的不同可分为 结型场效

2009-5-7

功率晶体管包括三极管和二极管,其典型的封装形式是THM(Through-HoleMount,引脚插入式)插脚型封装,即使是在SMD(SurfacdMountingDevice,表面贴装元件)大行其道的今天也是如此,因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO(TransistorOutline,晶体管封装)为主要形式,而SMD形式的,以有引脚的为主要形式,IR(InternationalRectifier,国际整流器)开发的DirectFET封装则是其中的

2011-1-5

晶体三极管结构 晶体三极管 (Transistor)简称晶体管,也是一种用半导体制成的半导体器件。晶体管有两种结构,分别称为NPN型晶体管和PNP型晶体管。 如果在两块N型半导体之间夹上一块很薄的P型半导体,并且紧密地结合在一起,就可形成一个NPN型晶体管,同样地,如果在两块P型半导体之间夹上一块薄的N型半导体,就可形成一个PNP型晶体管,如下图标 晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下 PNP型三极管与NPN型三极管电路符号 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 (b)是三极管的输入特性曲

2009-2-26

场效应管(Fjeld Effect Transistor简称FET )是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件,故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件,只依靠一种载流子参与导电,故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比,它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类,结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET,后者性能更为优越,发展迅速,应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

2009-3-8

场效应晶体管(Field Effect Transistor)英文缩写FET,简称场效应管,是根据晶体三极管的原理开发出的新一代放大元件,由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。场效应管有3个电极:栅极,漏极,源极。栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件。它同时具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,是电流控制型晶体管的强大竞争者。 场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类。 按沟道材料:结型和绝

2008-7-6
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