晶体管元件查询
型号：11N90
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：160 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11 A
漏极和源极电压（VDSS）：900 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.1 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管FLM6472-12DNE42184ALNL04R075MGFC39V37422SK2551FQPF2N60CMDF4N65B75N10D2SK3566IRFPG52LSH65R2K5GTMGFK37V4045IRFU0122SK1942-01SSF9N90A