晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:2SK1100
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):0.2 W
漏极电流(ID):0.06 A
漏极和源极电压(VDSS):4 V
封装:4-218

更多N沟道场效应管IPB120N06S4-H1(4N06H1)IRFUC20IXFH7N8010N60CIRC150IXTA80N10TSTD13N60M2DHE85N082SK1388B3020LUV9806K8N60H12N65FTD09N03NLSE55R140GT

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