晶体管元件查询
型号：3DD13001
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：1.2 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.2 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：600 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：400 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：7 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：100 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：200 μA
特征频率（fT）：8 MHz
直流放大系数（hFE）：5~70
芯片材质：硅
封装：TO-92
更多NPN三极管2SC35952SC38072SC15662SD2036