晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：8N60P
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：62 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】8 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1.2 Ω
封装：TO-251

更多N沟道场效应管TSM48062SK3797MDP15N60GSMK630D2SK27182SK2561STP40N202SK1388STH12NA60SVF2N60FFQPF6N90CIRF3232SK1102TS300IXTQ50N25T

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