晶体管元件查询
型号：CS4N65
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】75 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.8 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管YR20N602SK786STB11NK50ZT42SK1821-01MRIRF360IRC150IRFS820RF1S40N1015N65FDP52N2080R900PBMGFC36V5964IRFP450LC2SK192PTP04N08N