晶体管元件查询
型号：FDL100N50F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2500 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】2500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】100 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.055 Ω
封装：TO-264
更多N沟道场效应管FSX02LFMGF1202MMD60R580PBNCE65TF180FKF7N50P2SK69LNG04R035BDN2540N5FMH06N80EFTD06N03NLSG70R450GTIRFP448AO34102SK3446STP4NK60ZFP