晶体管元件查询
型号：HY5012A
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 A
漏极和源极电压（VDSS）：125 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.0036 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管STP4N90K5FTP23N10ACEBF630SVF4N65AFHP120N9F4AFHD5N60AMGF-X34MLNF10N60NCE80H15WML14N65C23SK240IRLB8314PbFTK13A65UFLM1011-12D2SK2654-01