晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：IRF640N
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.15 Ω
封装：TO-220

更多N沟道场效应管IRFF332FTA07N60CIRFR024NPbFIRFP343IRF614FHP730IPD60R600P7S(60S600P7)DHF80N08BUZ3343N169NE32684AIRFPG52FLC103WGSTW6NA902SK1404

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