晶体管元件查询
型号：IXFT26N50
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】26 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.2 Ω
封装：TO-268
更多N沟道场效应管16N60FHP150N03CSGD1K1N70W32SK4085LSCS64N90IRFSL33N15DTK10A60DHY1001PIXFK26N120P2SK1296SGW280N80W3SVD640FIPB60R099C6(6R099C6)DHD100N03IRFF221