晶体管元件查询
型号：SVD640T
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】18 A
漏极和源极电压（VDSS）：200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.15 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRF4468CS5N60BUK437/400B20N65YSVF8N60LND7N60IRF520AFQP6N80CLSG55R290GTYR20N60LNC16N65KXU03N25STH60N102SK1317LSB65R070GF