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3DD153 是低频大功率晶体三极管,硅材料 NPN 型,管芯采用扩散平面工艺,其封装和管脚排列如下: 3DD153按其耐压不同分为9个档次 主要参数: BV CBO 3DD153A=80V 3DD153B=150V 3DD153C=200V 3DD153D=250V 3DD153E=350V 3DD153F=400V 3DD153G=600V 3DD153H=900V 3DD153I=1100V BV

2009-5-12

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13001主要参数: 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

2009-5-7

3DD15三极管参数表 型号 I C V CBO V CEO P D 3DD15A 5A 150V 80V 50W 3DD15B 5A 200V 100V 50W 3DD15C 5A 300V 150V 50W

2009-3-26

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管,主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13003主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

2009-5-7

MJE13002是高压高速开关三极管,国产同类型号为3DD13002。它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器,以及其它开关电路中。MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图: 尺寸单位:毫米 管脚排列 1脚:发射极; 2脚:集电极; 3脚:基极 MJE13002(3DD13002)主要参数 V CBO =600V V CEO =400V V EBO =7V I C =1A P C =1.2W T j =150℃ T STG =-55~150℃ I CBO =

2009-5-7

3DD13005是高反压大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造,开关速度快,耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

2009-5-7

3DD1545硅NPN型高反压低频大功率三极管, 主要应用于彩电开关电源。其特点如下: 1、击穿电压高漏电流小 2、开关速度快 3、饱和压降低 4、电流特性好 5、封装形式:TO-3P(H)IS 极限值: 电参数: 特性曲线:

2008-12-14

该逆变器电路由工频振荡器、推挽放大电路、变压器升压电路等组成,既是逆变器,也可当充电器使用。整机电路如下图所示: 电路结构较为简单。工频振荡信号源由一块555时基电路构成,其3脚输出的方波用来驱动推挽放大电路。推挽放大由两组6只3DD15低频大功率三极管构成,最终驱动变压器完成逆变升压。 555和R1。R2、C1等组成的50Hz无稳态多谐振荡器,振荡频率f=1.44/(R1+2R2)C1。当开关K1打至逆变位置时,VT8饱和导通,将蓄电池直流电压加至555和VT1电路,则555开始振荡

2009-7-1
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