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电路组成: 图中R1、C1、L为吸收网络,防止可控硅开、关时产生的尖峰脉冲对其它电气设备产生的干扰。VR、R2、C2、R3、C3组成可调积分电路,控制双向可控硅VS的导通角,从而控制输出电压。 元件选择: R、C参数如图所示。电位器VR为0.1W。L用0.3mm高强度漆包线在510mm的工字形磁芯上绕100匝,也可在0.5W/100K碳膜电阻上绕200匝。VD为DB3型触发管,双向可控硅用3A600V要求触发电流不能太大,BCR3AM的电极排列如图,但也有相反排列的,安装时应注意区分。 该电路用

2008-6-2
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