电子爱好者

3DD153 是低频大功率晶体三极管,硅材料 NPN 型,管芯采用扩散平面工艺,其封装和管脚排列如下: 3DD153按其耐压不同分为9个档次 主要参数: BV CBO 3DD153A=80V 3DD153B=150V 3DD153C=200V 3DD153D=250V 3DD153E=350V 3DD153F=400V 3DD153G=600V 3DD153H=900V 3DD153I=1100V BV

2009-5-12

3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点。采用TO-251封装的3DD13001管脚排列如图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13001主要参数: 集电极最大耗散功率P CM =1.2W (Tamb=25℃) 集电极最大允许电流I CM =0.2A 集电极-基极反向击穿电压BV CBO =600V 集电极-发射极反向击穿电压BV CE

2009-5-7

3DD15三极管参数表 型号 I C V CBO V CEO P D 3DD15A 5A 150V 80V 50W 3DD15B 5A 200V 100V 50W 3DD15C 5A 300V 150V 50W

2009-3-26

3DD13003是硅NPN型高反压开关三极管,主要用于节能灯、日光灯电子镇流器及其它开关电源电路中。采用TO-220封装的3DD13003管脚排列如图 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 3DD13003主要参数: 集电极-基极最高耐压V CBO =700V 集电极-发射极最高耐压V CEO =400V 发射极-基极最高耐压V EBO =9V 集电极电流I C =1.5A 耗散功率P C =40W 结温T j =150℃ 贮藏温度T STG =-55~150℃ 直流放大系数H FE =5

2009-5-7

3DD4515是大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造。具有耐压高、耗散功率大、电流特性好、开关速度快等特点。3DD4515主要用于开关电源、变频器、功率开关转换等电路中。它采用TO-3PN封装,外形和管脚排列如图: 1脚:基极B; 2脚:集电极C: 3脚:发射极E 3DD4515 主要参数: 极限参数(Tc=25℃) 集电极-基极电压V CBO :700 V 集电极-发射极电压V CEO : 400 V 发射极-基极电压V EBO : 9 V 集电极电流I C : 15 A 集电极

2009-5-7

这是一个用555时基电路做成的单稳态延时电路,与通常的单稳态电路不同之处在于,5脚通过二极管D1接到Vdd,555的控制端5脚是与芯片内部分压点的2/3Vdd相连的。现该脚经D1与Vdd相连,就把该点箝在Vdd-0.7=11.3V电位上。这就使得阈值电平也应提高到11.3V以上,因而使电容器C的充电时间大大延长,即在相同RC时间常数下使定时时间加大了几倍。图示参数给出的定时时间约73分钟,即当C上电压充到高于11.3V时,555电路翻转,输出低电平,K释放,负载断电,定时结束。计时开始时,应按一

2008-9-4

MJE13002是高压高速开关三极管,国产同类型号为3DD13002。它主要用于电子节能灯、日光灯电子镇流器,以及其它开关电路中。MJE13002(3DD13002)采用TO-126封装的外形尺寸和管脚排列如图: 尺寸单位:毫米 管脚排列 1脚:发射极; 2脚:集电极; 3脚:基极 MJE13002(3DD13002)主要参数 V CBO =600V V CEO =400V V EBO =7V I C =1A P C =1.2W T j =150℃ T STG =-55~150℃ I CBO =

2009-5-7

3DD13005是高反压大功率开关三极管,硅材料NPN型,平面扩散工艺制造,开关速度快,耐压高。主要用于大功率节能灯、日光灯电子镇流器以及其它功率开关电路。采用TO-220封装的3DD13005管脚排列如下图: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 4. 极限值(除非另有规定Ta=25℃) 参数名称 符号 额定值 单位 集电极-发射极反压 V CEO 400 V 集电极-基极反压 V CBO 700

2009-5-7

CD4052是一个差分4通道模拟开关CMOS型数字集成电路,有A、B两个二进制控制输入端和INH输入,具有低导通阻抗和很低的截止漏电流。幅值为4.5~20V的数字信号可控制峰峰值至20V的模拟信号。 例如,若V DD=+5V,VSS=0,VEE=-13.5V,则0~5V的数字信号可控制-13.5~4.5V的模拟信号,这些开关电路在整个VDD-VSS和 VDD-VEE电源范围内具有极低的静态功耗,与控制信号的逻辑状态无关,当INH输入端=1时,所有通道截止。二位二进制输入信号选通4对通道中的一通道

2010-2-11

3DD1545硅NPN型高反压低频大功率三极管, 主要应用于彩电开关电源。其特点如下: 1、击穿电压高漏电流小 2、开关速度快 3、饱和压降低 4、电流特性好 5、封装形式:TO-3P(H)IS 极限值: 电参数: 特性曲线:

2008-12-14

3DD207三极管为低频大功率NPN型硅管,TO-3封装。 外形尺寸: 主要参数: BV CBO =60V;BV CEO =60V;BV EBO =6V;I C =5A;P C =50W V CE (sat)=1.0V;V BE (sat)=1.5V I CBO =0.5mA;I EBO =0.1mA

2009-4-22

光施密特触发器电路共五个元件组成,以555定时器为核心元件。光敏电阻RG的阻值会随着光照强度的变化而变化,利用555内部的两个比较器的复位和置位特性,便可组成施密特触发器。 当光线强时,光敏电阻RG呈低阻,555定时器2脚呈低电平( 1 / 3 V DD 触发电平),555置位,继电器K不动作;当光线弱时,光敏电阻RG呈高阻,555定时器6脚电平高于 2 / 3 V DD 阈值电平,555复位,继电器K吸合。 继电器K用于控制后级电路。

2009-3-28

本电路是以一块555时基电路为核心组成的双音门铃,它发出的叮咚声音色优美悦耳。其电路如图所示。 555和R1~R3、D1、D2、C2等组成一个多谐振荡器。SAO为门上的按钮开关,平时处于断开状态。在SA关断情况下,555的4脚呈低电位,使555处于强制复位状态,3脚输出量低电位。当有人按压SA后,电源V DD 通过SA、D1对C1快速充电至V DD ,555的4脚为高电位,555振荡器起振。此时的振荡频率为 fc1=1.44/(R D +2R 3 )C 2 式中RD为D1、D2的直流电阻,约5

2008-9-11

如图所示,一般的555多谐振荡器,充放电时间的调节会相互影响。本电路采用镜像电流源的形式,使电容C的充电回路和放电回路独立分开,且保证充、放电的线性。当刚通电时,输出呈高电平,VT5、VT2、VT1导通,C通过VT1恒流充电,当充至2/3 VDD阈值电平时,555复位,3脚转呈低电平,VT5截止。C通过VT3、IC内部的放电管放电,当放至1/3 VDD时,555置位。周而复始,形成振荡。

2008-9-5

声控电路开关由声控电路、单稳延时电路和可控硅驱动电路组成。 电容降压整流电路为声控开关电路提供VDD=6V直流电压。IC1采用专门的声控集成电路SK-Ⅰ,该集成电路内含双稳态触发器和三极放大器。平时,IC1的输出端9脚呈低电平;而当拾音器B收到击掌声等音响信号时,IC1内的双稳态翻转,9脚转呈高电平,VT1饱和导通,由于IC2(555)的2脚触发电平小于1/3VDD,则555置位,3脚呈高电平,SCR触发导通,灯亮。 555和R4、C4等组成单稳定时电路,定时时间即单稳态的暂稳时间TD

2009-3-10

许多人喜欢蟋蟀声音,特别是住在大城市的人们。这种电子蟋蟀声发生器电路工作在脉冲状态,使电池寿命延长,电流消耗仅2mA。电路的原理很简单,它是建立在CD4049或CD4009集成电路之上,这是CMOS六反相缓冲器/转换器。 CD4009和CD4049的区别: CD4009和CD4049都是六反相缓冲变换器。CD4009需要两组供电电源(VDD和VCC),且应VDD=VCC,如能实现CMOS - TTL缓冲变换,VCC电源为5V。CD4049是单电源供电,CD4049电路把原来标准保护电路中对输入高

2014-5-25

适用机型: 21837D、2183AA、2185AA、2155PLAS、2187PLUS (AA机芯)2183AC、2192AC、2191AC (AC机芯) 2992AG、2955AG、2586AG(AG机芯) 2589、2591、2962、2951(PB机芯) 进入及退出I 2 C总线维修模式的方法: 用户遥控器的频道和音量键盘的正中间位置加一个TEST键,按一下此键,就可进入工厂模式,按一下待机键就可退出工厂模式。 适用机型:2592TDD、2922TD、2992TDD、2522TD、296

2009-5-24

24C21是一个串行I 2 C总线电擦写可编程只读存储器,一般用于DDC显示格式用,当这部分电路有问题的时候会出现显示格式不对,无图像显示的故障现象。 24C21引脚功能: 1、2、3:空脚 4:地 5:时钟线接口 6:数据线接口 7:写控制 8:电源

2009-6-7

如图(a)所示,用555和定时电阻R1~Ra及待测电容Cx可组成指针式电容表。单稳态电路测电容的原理,是利用Cx的容量越大,则单稳态的暂稳脉宽越大,即Cx上的电压充到阀值电平(2/3VDD)所需的时间就越长。由于td=1.1RCx关系的存在,故当固定周期的输入脉冲触发时,输出端的平均幅值与td(或Cx)成比例关系,利用电流表对其幅值大小进行检测,流过表头的电流大小反映了555的输出脉宽td的大小,即反映出Cx的容量大小。 若将电路中的Cx换作固定电容C,而将R的位置上放置被测电阻Rx,经过改换量

2001-1-1

本电路由三个相同的施密特触发器组成闭环回路,首尾相接,每个触发器的延时时间为t D =1.1(RP+R)C,延时时间t D 就是C上的电压升高到 1 / 3 V DD 所需要的时间。而555复位后,C上的电荷是通过R、W对前一级IC的输出端(3脚)进行灌电流放电的,因而与C的充电时间常数一样。因此,每个触发电路的输出端每改变一次要经过三个单稳触发电路传输,所需时间是3t D 。故每个IC的输出周期T=6t D 。对应的频率 f=1/T=1/61.1(RP+R)C 从一个闭环周期来看,每个tD

2009-3-29

如图所示,这是由三个相同的施密特触发器组成的闭环回路,首尾相接。每个触发器的延时为td=l.1(RP+R)C,延时td即C上的电压升到1/3 VDD所需要的时间。而555复位后,C上的电荷是通过R、W对前一级IC的输出端(3脚)进行灌电流放电的,因而与C的充电时间常数一样。因此,每个触发电路的输出端每改变一次要经过三个单稳触发电路传输,所需时间是3td。故每个IC的输出周期Td=6td。对应的频率

2008-9-5

如图所示,555和R1、C2接成无稳态多谐振荡器,振荡频率约在20kHz左右,由于充、放电时间常数皆为R1C2,故占空比为50%。输出的20kHz脉冲波经D1、C3和D2、C4分别整流滤波后,输出EDD双电源。采用双时基555,可使负载电流达到50mA左右。

2008-9-5

如图所示为温度自动控制电路,可依据环境温度的高低自动控制电风扇的启停。它由测温控制电路和降压整流电源电路组成。其中降压整流电路为整个控制电路提供5V直流工作电压。测温控制电路的核心为555时基电路和R5、R7、W1、R6等组成的双稳态触发器,且,R6、R7选用NTC热敏电阻作为测温元件。 当环境温度增加时,相应R6、R7的阻值变小,使IC因②脚电位下降到小于1/3VDD而被置位,3脚输出高电平。从而使由D2~D5、SCR、BG1、BG2等组成的可控硅交流零压开关接通,插座D因接通电源而使电风扇

2008-10-31

如图所示为多功能电冰箱控制电路。该控制器由过压、欠压采样电路、延时启动电路、声光报警电路、降压整流电路等组成。其中降压整流 电路为整个控制器提供直流电压。 延时启动电路由IC1(555)和C6、R14、W3等组成,当开机或断电后又来电时,C6上的端电压不能突变,555因⑥脚电位为高电平而发生复位,随着充电进行,当C6充电到使2脚电位低于1/3VDD时,555发生置位,③脚输出的高电平使继电器J吸合。相应延时为td=1.1(Rw3+R14)C6,图示参数对应的延时约为4~10分钟。 过压、欠压和

2008-9-12

该多点控制电子开关可实现对电器设备的多地点控制,其电路如图所示,电路包括降压整流电路、双稳态触发电路和可控硅控制电路。 降压整流电路为控制器提供13V的直流电压。555和R5、R4、R13、C1、C2等组成双稳触发电路。刚接通电源时,由于C1上电压不能突变,使555置位,C2通过R5充电至l2V。此时若按一下K1(K2或Ks),则C1很快充电至2/3 VDD=8V,555复位,3脚转呈低电平,SCR截止。同时,VT截止,555的6脚呈高电平,使555处于稳定的复位状态。如再按一下K1(K2或

2009-5-19

太阳能设备为了获得尽可能多的光能,需要随着太阳的方位进行自身受光面的调整。本文介绍的装置即可实现自动跟踪太阳方位的功能。 电路如图所示,双运放LM358与R1、R2构成两个电压比较器,参考电压为VDD(+12V)的1/2。光敏电阻RT1、RT2与电位器RP1和光敏电阻RT3、RT4与电位器RP2分别构成光敏传感电路,该电路的特殊之处在于能根据环境光线的强弱进行自动补偿。 如下图所示,将RT1和RT3安装在垂直遮阳板的一侧,RT4和RT2安装在另一侧。当RT1、RT2、RT3和RT4同时

2009-3-6

这个声控小灯用于控制4.5V直流供电的小灯泡,可用作学生实验也可用作声控夜光小灯。电路主要由5G555时基集成电路和一些分立元件组成,如下图所示: 工作原理 压电陶瓷片B与晶体三极管VT1,电阻R1,和电阻R2等组成了声控脉冲触发电路,时基集成电路IC与电阻R3,电容器C等组成了典型单稳态延时电路,晶体三极管VT2,VT3和电阻R4,R5等组成了小电珠H的功率驱动放大电路。 平时,由于晶体三极管VT1的偏流电阻R1取值较大,所以VT1趋于截止状态,其集电极输出电压高于1/3VDD=

2009-7-18

该时间继电器是为替代JSK1系列晶体管时问继电器设计的。电路包括降压稳压源( 12V)、555单稳态电路和继电控制等。555和RP1、C2组成单稳延时电路,定时时间td =l.1RP1C2。刚接通电源时,2脚因呈低电位,使555置位,K2不动作,待C2通过RP1充电到2/3 VDD时,3脚转呈低电平,K2吸合,将K2-1、K2-2:触点接通。K1是为C2放电设置的。 RP1和C2取值对应的时间关系如下: 延时范围:0~1.5秒1~30秒6分钟9分钟 RP1():100k

2009-5-19

该逆变器电路由工频振荡器、推挽放大电路、变压器升压电路等组成,既是逆变器,也可当充电器使用。整机电路如下图所示: 电路结构较为简单。工频振荡信号源由一块555时基电路构成,其3脚输出的方波用来驱动推挽放大电路。推挽放大由两组6只3DD15低频大功率三极管构成,最终驱动变压器完成逆变升压。 555和R1。R2、C1等组成的50Hz无稳态多谐振荡器,振荡频率f=1.44/(R1+2R2)C1。当开关K1打至逆变位置时,VT8饱和导通,将蓄电池直流电压加至555和VT1电路,则555开始振荡

2009-7-1

说明: 这种逻辑探头采用单一的CMOS 4001芯片,可以显示高,低脉冲输出。 笔记 这个逻辑探头是基于一个单一的CMOS 4001芯片。 该IC包含四2输入或非门,所有的门都用在这条赛道。 功率逻辑探头取自被测电路和因为CMOS技术被使用时,该电路将与工作电压为3至15伏直流。 低于IC引脚被hown: CMOS集成电路的使用MOSFET的,所以电源端子通常被称为V DD为漏极电压(正)和V SS为源极电压(接地端子)。 在使用TTL集成电路的正电源晶体管电路和逻辑电路通常称为V CC这是

2014-5-8

 ……

电子爱好者 DIANZIAIHAOZHE.COM