3DD153 是低频大功率晶体三极管，硅材料 NPN 型，管芯采用扩散平面工艺，其封装和管脚排列如下： 3DD153按其耐压不同分为９个档次 主要参数： BV CBO 3DD153A=80V 3DD153B=150V 3DD153C=200V 3DD153D=250V 3DD153E=350V 3DD153F=400V 3DD153G=600V 3DD153H=900V 3DD153I=1100V BV

3DD15三极管参数表 型号 I C V CBO V CEO P D 3DD15A 5A 150V 80V 50W 3DD15B 5A 200V 100V 50W 3DD15C 5A 300V 150V 50W

3DD1545硅NPN型高反压低频大功率三极管， 主要应用于彩电开关电源。其特点如下： 1、击穿电压高漏电流小 2、开关速度快 3、饱和压降低 4、电流特性好 5、封装形式：TO-3P(H)IS 极限值： 电参数： 特性曲线：

该逆变器电路由工频振荡器、推挽放大电路、变压器升压电路等组成，既是逆变器，也可当充电器使用。整机电路如下图所示： 电路结构较为简单。工频振荡信号源由一块５５５时基电路构成，其３脚输出的方波用来驱动推挽放大电路。推挽放大由两组６只3DD15低频大功率三极管构成，最终驱动变压器完成逆变升压。 ５５５和R1。R2、C1等组成的50Hz无稳态多谐振荡器，振荡频率f=1.44/(R1+2R2)C1。当开关K1打至逆变位置时，VT8饱和导通，将蓄电池直流电压加至５５５和VT1电路，则５５５开始振荡