该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器，1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS（ON）的场效应管（MOSFET）是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器，采用N沟道MOSFET的IRF 540，直流12V输出，输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供，电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出，MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制（PWM）电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET，正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路，正极控制版本是有用的。 12V负极控制PWM电机/灯光控制器 12V正极控制PWM电机/灯光控制器 该电路可以切换相当高的量的电流，IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET，如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至

这个200W的MOSFET功率放大器，适用于多种应用，如吉他扩音器，麦克风或家庭影院。由于很多人喜欢，因为它使用MOSFET晶体管。MOSFET放大器的额定功率为200W功率4扬声器。频率响应在20Hz到80kHz（1dB），200W全功率信噪比总谐波失真小于0.1％。 样机的性能 输出功率（RMS）：... 140W，8欧姆，200W，4欧姆 频率响应：20Hz - 80kHz - 1分贝 输入灵敏度：830mV ............为200W，4欧姆 失真：... 0.1％（20赫兹

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管（如IRF830那种功率管） 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作，将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图，非稳态的另一半利用一个NPN晶体管，使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大，驱动LED闪烁。

这是一个简单的5V/5W开关电源电路。采用了一片TOP210三端PWM开关集成电路。TOP210内含PWM控制器，功率MOSFET和各种保护电路。该电源交流输入电压范围为85~265V，当负载从额定负载的10%变化到100%，电源电压调整率和负载电流调整率可达+-5%。该电源还具有过压、超温保护和限流等功能。 TOP210的D脚为内部输出MOSFET的漏极，C脚为内部误差放大器和反馈电流输入脚，用来调整开关电源的占空比。S脚为内部MOSFET的源极，也是内部控制电路的公共端。 交流输

该电路被设计成可伸缩鞭状天线的接收信号前置放大。前置放大器旨在涵盖中波频段大约550kHz到1650Khz。调谐电压通过一个10K电位器RV2连接到12伏电源供电。 RV1是增益控制允许微弱的信号被放大或强烈的信号被衰减。控制电压施加到TR1，双栅极MOSFET，通过门1所施加的信号电压的栅极2; 输入信号被经由器330uH线圈和两个KV1235变容二极管在MOSFET的输入，并通过在BF981 MOSFET的漏极端子的相同组件的双调谐。两个调谐电路提供在整个调谐范围高选择性。以有助于稳定性的

这个电路类似于前文的一个，但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管，如IRF530，540，640，等等。较小的MOSFET可以使用，但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640，IRFZ44，IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点，只需要几个元件，电源首次接通继电器总是停用状态，并且不需要任何开关去抖。 在操作中，当继电器被去激活时，100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时，电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压（栅极电压）在约200毫秒将从

场效应管（Fjeld Effect Transistor简称FET ）是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。与双极型晶体三极管相比，它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、功耗小、制造工艺简单和便于集成化等优点。 场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。 一、 结构与

本文所述电路的作用是将12伏20安培太阳能充电控制器修改为60安培，使其能够对更高容量的蓄电池进行充电。类似的修改可被执行以实现40安培（2套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管）或80安培（4套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管）的最大工作电流。本文介绍的修改为60安培。 这些修改是在 12伏20安培太阳能充电控制器 电路基础之上进行，下文称之为原电路。 原电路的修改 原电路需要一些小的改动，充电电流开关元件Q2和D1必须从原电路中去掉。电阻R24和R25应更改为新值

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而

电路描述 这是用于控制小型直流电动机速度的电路，它工作得很好，采用脉冲宽度调制(PWM)技术。 原理 556双定时器集成电路的左半部分被用作固定频率的方波振荡器。该振荡器信号被馈送到其被配置为可变脉冲宽度单触发单稳态多谐振荡器（脉冲扩展）的556的右半边。单触发的输出是可变宽度的方波脉冲，该脉冲宽度设定与速度控制电位器上的控制电压输入。可变宽度的输出脉冲导通和截止的IRF521 MOSFET晶体管。在MOSFET放大该信号的电流，使得它也足以控制一个小型直流电动机。311比较器用于当控制电压低

TOP2XX系列IC是一类将控制电路和功率开关集成在一起的三端开关电源芯片。这类芯片的封装形式为TO-220，管脚名称及功能如图(a)所示，它们的内部设有振荡器、PWM比较器、误差放大器、逻辑电路、高耐压MOSFET输出开关管以及限流、欠压锁定电路和过压、温度保护电路。改变注入控制极C(1脚)的电流即可控制芯片内输出MOSFET开关的占空比。 图(b)所示为TOP204的典型应用电路。该电源的技术特点是输入电压为交流85～265V；输出电压为15V2％；额定输出功率为30W；输出电压纹波不

VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（108W）、驱动电流小（0.1A左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V

一、单极型晶体管 单极型晶体管也称 场效应管 ，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达10 7 ~ 10 15 ，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 10 15 。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为 结型场效

当电路检测到电话线已被切断时，它激活一个MOSFET可用于驱动继电器，马达等，也可以连接到一个安全系统。连接电话时需要注意极性，因为电路检测电话线路电压作为判别依据。 配件 R1，R2，R322兆1/4 W电阻 R42.2兆1/4 W电阻 C10.47F的250V电容 Q12N3904三极管 2N2222 Q22N3906三极管 Q3IRF510功率MOSFET D11N914二极管 负载见注意事项 备注 负载可以是一个继电器、灯、电动机等的电路，也可以连接到一个安全系统，电话线路被切断的情

本电路中，555时基电路构成了一个压控式振荡器，控制端配合场效应管可实现占空比的大范围调节，电路如图 电路中，555时基、电阻R1、R2、电容C1～C3及三极管VT1构成一个压控式多谐振荡器，场效应管(JFET)VT在这里等效为压控电阻，通过改变其门(G)-源(S)电压VGs可改变VT-的漏(D)、源(S)间的阻抗。 接在场效应管漏极D和源极S的耦合电容C1、C2，用于防止其余电路的直流电压对JFET的影响。为不使耦合电容影响时基电路的充、放电时间，C1、C2的大小宜选为定时电容C3容

本文介绍一种成本低廉的无变压器开关电源电路，该电源电路输出直流电压 V0=12V，最大负载电流 I=100mA。 电路如下图所示，220V的交流电压经VD半波整流和电容C2滤波，为功率开关管 MOSFET(VT1)的栅极和开关晶体管VT2的集电极提供直流工作电压。R 1、RP与电容C1组成 RC 移相网络，VD3 是为电容 C1 对地充、放电而设置的。功率开关 MOSFET 的导通与关断，受小信号晶体管 VT2 的控制。在交流电压 VAC 的正半周，通过 R1 、 RP 使 VT2 导通。在

下面的触摸开关电路点亮20瓦的灯，当触点被触及，皮肤电阻约为2兆欧或更少。在左侧的电路采用了功率MOSFET的导通时，源极和栅极之间的电压大约是6伏。MOSFET的栅极不汲取电流，从而在所述栅极上的电压将是电源电压的一半或6伏，当跨越触摸接触电阻等于源极和栅极之间的固定电阻（2兆欧）。 右边的电路使用了三个双极型晶体管与引用到电源的负极或接地端的触摸接触完成相同的结果。因为双极型晶体管的基极汲取电流，电流增益通常小于200，三个晶体管通过高增益放大将触摸接触产生的微安级电流放大到所需要的几安培

本文介绍的开关电源输出直流电压V0=12V，最大负载电流I=100mA。电路很简单，显著的特点就是没有开关变压器，因此这个电路是与市电直通的没有隔离，制作调试应注意安全！ 电路图如上所示。220V的交流电压经VD2半波整流和电容C2滤波，为功率开关管MOSFET（VT1）的栅极和开关晶体管VT2的集电极提供直流工作电压。R1、RP与电容C1组成RC移相网络。VD3是为电容C1对地充、放电而设置的。功率开关MOSFET的导通与关断，受小信号晶体管VT2的控制。在交流电压VAc的正半周，通过R1、

我使用一个12V的20W的卤素灯（MR16）在我的自行车灯系统4.2ah SLA电池。电池在额定功率只有有限的寿命，所以我设计了这个便宜的调光器减少电池消耗，允许更长的骑行在夜间。一个简单的基于555定时器电路和MOSFET开关Q1，它通过脉冲宽度调制的12V电源灯。555（IC1）连接作为一个自由运行的振荡器，通过5位旋转开关（S1），选择不同的占空比调整灯光亮度。开关第三挡位置绕过电子线路直接连接灯和电池。这给出约7W，13W、20W三个功率水平。场效应管IRL530N导通电阻只有0.1欧姆

该电路用于调节从直流输出风力发电机给铅酸电池充电。它在闲置时功耗最低，风力发电机提供有效输出电压时给蓄电池充电。电池充满后过剩电量被转移到一个较大的负载电阻器，在寒冷气候下使用时所产生的热量可以用来保持电池温暖。 该电路的功能切换遵循先合后断原则。这确保了风力发电机的输出端要么连接电池，要么连接负载电阻，不会产生高电压瞬变，保护MOSFET晶体管。 该电路的工作电源由12V蓄电池提供。78L05稳压IC输出5V电源提供给逻辑电路。电压倍增器电路是由由一个触发器在一个4013的CMOS集成电路制

LM1875主要参数： 电压范围：16～60V 静态电流：50MmA 输出功率：25W 谐波失真：〈0.02%，当f=1kHz，RL=8，P0=20W时 额定增益：26dB，当f=1kHz时 工作电压：25V 转换速率：18V/S JRC5532是DIP8脚双运放，内部为JFET（结型场效应管结构）。JRC5532用NE5532可以直接代换。

25W 场效应晶体管（MOSFET）音频放大器电路 电路图 零件： R1，R4 = 47K 1/4W电阻 R2 = 4K7 1/4W电阻 R3 = 1K5 1/4W电阻 R5 = 390R 1/4W电阻 R6 = 470R 1/4W电阻 R7 = 33K 1/4W电阻 R8 = 150K 1/4W电阻 R9 = 15K 1/4W电阻 R10 = 27R 1/4W电阻 R11 = 500R 1/2W金属陶瓷微调 R12，R13，R16 = 10R 1/4W电阻 R14，R15 = 220R 1/

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；

IRFU020 金属氧化物场效应管 封装：TO-251 材料：N-FET 用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm：50V 极限电流Im：15A 耗散功率P：42W 导通电阻Rds：0.1 开关时间：83/39 国内外相似型号：J1025(A); MTD10N05EL

KF4054是一个完整的恒流恒压线性充电管理IC，用于对单节锂电池和锂聚合物电池进行充电控制。KF4054采用SOT-23-5的贴片封装。其外形和管脚排列如图所示： KF4054只需很少的外部元件，加上其小外形封装使得KF4054非常适合便携式应用。 KF4054的特点： 充电电流可编程，最高可达800mA 无需外接MOSFET、感应电阻和二极管。 带过热保护的恒流恒压充电使充电速度更快而无需担心过热 可从USB接口直接给单节锂离子电池充电 预设4.2V充电电压，精度达1% 关

这里有一个电路，它接受一个普通的LED的光生伏特电压的优势。 LED的电压是由一个结型FET晶体管缓冲，然后施加到运算放大器的反相输入端具有大约20的增益。 从黑暗到强光这将产生约5伏的变化。100K的电位器可以设置使输出大约为7伏在黑暗中，在强光下大约2伏。

该MAX1551和MAX1555充电芯片是为单节3.7V锂离子锂聚合物电池的USB充电器。他们无需外部的FET或二极管，并接受工作输入电压为7V。片上温度限制简化PC板布局，并允许最佳充电速率且无热限制由最坏情况下的电池和输入电压的罚款。 MAXl555采用双列5脚封装。CHG引脚为低电平有效，漏极开路充电状态指示输出。当电池充电电流高于50mA时，CHG引脚被拉至低电平。当充电器处于电压模式且充电电流跌至50mA以下时，CHC引脚变为高电平，充电过程并不停止。在预充电模式下，CHG引脚自动变

MAX1811是一种单节锂离子（ Li + ）电池充电管理芯片，可以采用直接从USB端口取电或从外部供应不超过6.5V的电源 。MAX1811充电电压精度为0.5 ％，允许外部设置电压为4.1V或4.2V，最大限度地利用电池容量。该芯片使用内部FET可以提供高达500mA的充电电流给电池充电。可以通过逻辑控制电路设定充电电流为100毫安或500毫安。 MAX1811采用小型1.4W增强散热型8引脚SO封装。它的引脚功能如图： MAX1811典型应用电路如下：

这是一个简单的太阳能电池供电的镍镉电池充电器。太阳能电池在超过80%的效率提供了可用的电压。采用一块MAX639降压型DC-DC转换器芯片。 MAX639内有作为开关晶体管的P沟道功率MOS FET，此外，还有误差放大器、振荡器和PFM电路，构成基本电路时要外接电感线圈，二极管和输入输出电容等。MAX639系列固定／可调输出多功能开关稳压集成电路是一种高效、多功能开关稳压电路，输出电压+5v，输入电压5.5～11.5V，输出电流100mA。其效率高，并有逻辑电平控制的电子开关控制端及电池低电压检