型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFC9024 IR P -60 IRFC9034 IR P -60

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFIP140 IR N 100 23 100 Iso TO-247 IRFIP150 IR N 100

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFP341 IR N 350 10 150 TO-247AC IRFP342 IR N 400

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF634 IR N 250 8.1 75 TO-220AB IRF635 IR N 250

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF9Z10 IR P -50 -4.7 20 TO-220AB IRF9Z12 IR P -50 -4 20

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRC150 IR N 100 30 (TO-204AE) IRC250 IR N 200

美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离（体积小）和电磁隔离（速度快）的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。 IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺，DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道；悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V，dv/dt=50V/ns，15V下静态功耗仅116mW；输出的电源端（脚3,即功率器件的栅极驱动电压）电压范围10～20V；逻辑电源电压范围（脚9）5～15V，可方便地与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和

这个电路类似于前文的一个，但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管，如IRF530，540，640，等等。较小的MOSFET可以使用，但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640，IRFZ44，IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点，只需要几个元件，电源首次接通继电器总是停用状态，并且不需要任何开关去抖。 在操作中，当继电器被去激活时，100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时，电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压（栅极电压）在约200毫秒将从

这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制（PWM）电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET，正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路，正极控制版本是有用的。 12V负极控制PWM电机/灯光控制器 12V正极控制PWM电机/灯光控制器 该电路可以切换相当高的量的电流，IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET，如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至

本文所述电路的作用是将12伏20安培太阳能充电控制器修改为60安培，使其能够对更高容量的蓄电池进行充电。类似的修改可被执行以实现40安培（2套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管）或80安培（4套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管）的最大工作电流。本文介绍的修改为60安培。 这些修改是在 12伏20安培太阳能充电控制器 电路基础之上进行，下文称之为原电路。 原电路的修改 原电路需要一些小的改动，充电电流开关元件Q2和D1必须从原电路中去掉。电阻R24和R25应更改为新值

这是100W逆变器电路。它采用CD4047芯片和IRF540场效应管代替2N3055晶体管。输出功率100W。变压器初级220伏，次级18伏中心抽头（双9伏），初次级颠倒使用。

IRFU020 金属氧化物场效应管 封装：TO-251 材料：N-FET 用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm：50V 极限电流Im：15A 耗散功率P：42W 导通电阻Rds：0.1 开关时间：83/39 国内外相似型号：J1025(A); MTD10N05EL

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

PT2262/2272是一对带地址、数据编码功能的红外遥控发射/接收芯片。其中发射芯片PT2262-IR将载波振荡器、编码器和发射单元集成于一身，使发射电路变得非常简洁。 接收芯片PT2272的数据输出位根据其后缀不同而不同，数据输出具有暂存和锁存两种方式，方便用户使用。后缀为M为暂存型，后缀为L为锁存型，其数据输出又分为0、2、4、6不同的输出，例如：PT2272-M4则表示数据输出为4位的暂存型红外遥控接收芯片。 PT2262-IR引脚功能说明：

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

功率晶体管包括三极管和二极管，其典型的封装形式是THM（Through-HoleMount，引脚插入式）插脚型封装，即使是在SMD（SurfacdMountingDevice，表面贴装元件）大行其道的今天也是如此，因为实践证明这种形式的封装既可靠又利于独立散热片的安装和固定。晶体管THM封装以TO（TransistorOutline，晶体管封装）为主要形式，而SMD形式的，以有引脚的为主要形式，IR（InternationalRectifier，国际整流器）开发的DirectFET封装则是其中的

通常，人们试图通过可变电阻器或可变电阻器连接到一个晶体管来控制直流电动机的转速。而后者的做法效果很好，它会产生热量，从而浪费电力。这个简单的脉宽调制直流电机控制消除了这些问题。它通过驱动马达用的短脉冲来控制电动机的速度。这些脉冲变化的持续时间来改变电机的速度。该脉冲时间越长，速度越快，反之速度越慢。 配件 R11兆1/4W电阻 R2100K电位器 C10.1uF的25V瓷片电容 C20.01uF 25V瓷片电容 Q1MOSFET IRF511 IRF620 U14011 CMOS与非门 S1双

我使用一个12V的20W的卤素灯（MR16）在我的自行车灯系统4.2ah SLA电池。电池在额定功率只有有限的寿命，所以我设计了这个便宜的调光器减少电池消耗，允许更长的骑行在夜间。一个简单的基于555定时器电路和MOSFET开关Q1，它通过脉冲宽度调制的12V电源灯。555（IC1）连接作为一个自由运行的振荡器，通过5位旋转开关（S1），选择不同的占空比调整灯光亮度。开关第三挡位置绕过电子线路直接连接灯和电池。这给出约7W，13W、20W三个功率水平。场效应管IRL530N导通电阻只有0.1欧姆

该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器，1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS（ON）的场效应管（MOSFET）是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器，采用N沟道MOSFET的IRF 540，直流12V输出，输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供，电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出，MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

电路描述 这是用于控制小型直流电动机速度的电路，它工作得很好，采用脉冲宽度调制(PWM)技术。 原理 556双定时器集成电路的左半部分被用作固定频率的方波振荡器。该振荡器信号被馈送到其被配置为可变脉冲宽度单触发单稳态多谐振荡器（脉冲扩展）的556的右半边。单触发的输出是可变宽度的方波脉冲，该脉冲宽度设定与速度控制电位器上的控制电压输入。可变宽度的输出脉冲导通和截止的IRF521 MOSFET晶体管。在MOSFET放大该信号的电流，使得它也足以控制一个小型直流电动机。311比较器用于当控制电压低

SHT1x/7x是瑞士Sensirion公司推出的一种可同时测量温度、湿度和露点的新型温湿度传感器。它无需外围元件就能直接输出湿度、温度等指标的数字信号，可以有效解决传统温湿度传感器的不足。其内部结构如图1所示。 SHT1x/7x性能参数电源适用范围：2.4～5.5V。 工作电流：在测量时为550A，平均28A，休眠3A。可与5V或3V工作电压的单片机直接配套使用，特别适合低功耗工作场合。 图2 SHT1x/7x实物图 测量精度： 在2 0 ℃ 条件下为0.5℃，湿度测量精度为3.5%。SH

A741运算放大器，美国仙童公司（fairchild）发明，是世界上第一块集成运算放大器，在上世纪60年代后期广泛流行，直到今天A741运放仍是电子学科中讲解运放原理的典型元器件。 如图所示为A741的典型应用电路，其中图(a)是反相输入放大电路，图(b)是同相输入放大电路。 A741是高性能、内补偿运算放大器，功耗低，无需外部频率补偿，具有短路保护和失调电压调零能力，使用中不会出现闩锁现象，可用作积分器、求和放大器及普通反馈放大器。 A741的可代换型号有：CF741MT、CF7

这里描述的红外（IR）遥控开关项目的目的是控制不具有遥控操作功能的电器。我们的目标是构建一个遥控接收盒子，你可以插上您的120V AC设备，并与任何现代红外遥控设备控制开启和关闭操作。 现代红外遥控器上的任意键被按下时将产生38KHz的调制脉冲串。使用电容滤波，我们将脉冲流转换成一个脉冲而不管输入的密钥。这样一来，遥控器上按下任意键我们就可以切换继电器开关。该项目已经过测试，并且它运作良好。 电路 采用TSOP 1738红外接收器模块检测到来自红外遥控设备接收到的38KHz的脉冲输入。在待机状态

该电路可以使用任何红外线遥控器来控制任何线路供电的电气设备（灯，电视，风扇等）。很多人家里都有一堆家电的旧红外遥控器，有了这个电路，你可以把它们重新投入使用。该电路查找任何调制IR源，并使用它来控制可控硅，然后切换连接到它的插座的任何电器。例如，可以使用任何现有的红外遥控器来控制房间灯光。该电路使用电阻降压从线路电源供电，使得它小巧，方便地内置到一个电灯开关、墙壁盒，甚至你想控制的供电设备。 红外遥控开关电路图 配件 R13兆1/4W电阻 R21.2兆1/4W电阻 R3680欧姆1/4W电阻 R

当电路检测到电话线已被切断时，它激活一个MOSFET可用于驱动继电器，马达等，也可以连接到一个安全系统。连接电话时需要注意极性，因为电路检测电话线路电压作为判别依据。 配件 R1，R2，R322兆1/4 W电阻 R42.2兆1/4 W电阻 C10.47F的250V电容 Q12N3904三极管 2N2222 Q22N3906三极管 Q3IRF510功率MOSFET D11N914二极管 负载见注意事项 备注 负载可以是一个继电器、灯、电动机等的电路，也可以连接到一个安全系统，电话线路被切断的情

1/2波长双极天线（Dipole，简称D.P天线）是最为常见短波天线之一，也是其他天线的基础。因为其构架简单，调试容易，成功率高，得到了HAM们的广泛推崇。由于居住环境的限制，在没有条件安装大型、多波段定向天线的情况下，简单的D.P天线成为了爱好者架设天线的首选，初学者一般都是从单波段D.P天线开始入手ONAIR（通联）。在获得与国内外爱好者通联的成就感之后，大家可能最先想到的就是如何增加波段，或者改造现有的单波段天线，拓展天线的覆盖频段，以适应不同级别的频率操作范围。本文就为大家介绍一种拓展了

LM339集成块内部装有四个独立的电压比较器，该电压比较器的特点是：1）失调电压小，典型值为2mV；2）电源电压范围宽，单电源为2-36V，双电源电压为1V-18V；3）对比较信号源的内阻限制较宽；4）共模范围很大，为0~（Ucc-1.5V）Vo；5）差动输入电压范围较大，大到可以等于电源电压；6）输出端电位可灵活方便地选用。 LM339集成块采用C-14型封装，图1为外型及管脚排列图。由于LM339使用灵活，应用广泛，所以世界上各大IC生产厂、公司竟相推出自己的四比较器，如IR2339、A

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管（如IRF830那种功率管） 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作，将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图，非稳态的另一半利用一个NPN晶体管，使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大，驱动LED闪烁。

一个小功率荧光灯驱动电路，不需要任何特殊的组成部分。它使用了一个普通的120V到6V降压变压器，12V电源工作产生大约350V来驱动荧光灯，无需预热灯丝。 配件 C1100UF 25V电解电容 C2，C30.01UF 25V瓷片电容 C40.01UF 1KV瓷片电容 R11K 1/4W电阻 R22.7K 1/4W电阻 Q1IRF510 MOSFET U1TLC555定时器IC T16V300毫安变压器 LAMP4W荧光灯 备注 Q1必须安装在一个散热片上。 一个240V到10V的变压器会更

一、测量交流电路的功率因数 测量功率因数一般用功率因数表或相位表或用功率表、电压表、电流表分别测出功率P、电压U、电流I、然后用有功功率公式P=UIcosQ算出功率因教。但是这些仪器都较为复杂。可以用万用表测量电流，进而算出功率因数。具体方法是：把待测功率固数的感性负载和一个纯电阻性负载并联后接在交流电源上。用万用表交流电流档分别测出该电路的干路电流I、纯电阻支路的电流IR、感性负载支路的电流IL，由电工基础理论知识分析可得，待测感性负载的功率因数可由下式确定。 二、测量电力电容器的电容量 在没