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型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFC9024 IR P -60 IRFC9034 IR P -60

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFIP140 IR N 100 23 100 Iso TO-247 IRFIP150 IR N 100

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRFP341 IR N 350 10 150 TO-247AC IRFP342 IR N 400

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF634 IR N 250 8.1 75 TO-220AB IRF635 IR N 250

2009-3-14

型号 厂家 方式 漏源极电压(V) 漏极电流(A) 最大功耗(W) 封装形式 IRF9Z10 IR P -50 -4.7 20 TO-220AB IRF9Z12 IR P -50 -4 20

2009-3-14

这个电路类似于前文的一个,但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管,如IRF530,540,640,等等。较小的MOSFET可以使用,但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640,IRFZ44,IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点,只需要几个元件,电源首次接通继电器总是停用状态,并且不需要任何开关去抖。 在操作中,当继电器被去激活时,100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时,电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压(栅极电压)在约200毫秒将从

2014-3-17

这两个原理图是我设计的另一种脉宽调制(PWM)电路。该图是为12V电压设备使用的两个版本。负极端控制版本使用一个N沟道FET,正极端控制版本采用了P沟道FET。N沟道器件处理更大的电流和成本小于P沟道器件。当负载的一侧上具有接地电路,正极控制版本是有用的。 12V负极控制PWM电机/灯光控制器 12V正极控制PWM电机/灯光控制器 该电路可以切换相当高的量的电流,IRFZ34N MOSFET如果连接到一个适当的散热器可处理超过35安培。高功率FET,如IRFZ48N或IRF1010Z可以如果甚至

2014-3-3

本文所述电路的作用是将12伏20安培太阳能充电控制器修改为60安培,使其能够对更高容量的蓄电池进行充电。类似的修改可被执行以实现40安培(2套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)或80安培(4套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)的最大工作电流。本文介绍的修改为60安培。 这些修改是在 12伏20安培太阳能充电控制器 电路基础之上进行,下文称之为原电路。 原电路的修改 原电路需要一些小的改动,充电电流开关元件Q2和D1必须从原电路中去掉。电阻R24和R25应更改为新值

2014-1-23

这是100W逆变器电路。它采用CD4047芯片和IRF540场效应管代替2N3055晶体管。输出功率100W。变压器初级220伏,次级18伏中心抽头(双9伏),初次级颠倒使用。

2014-5-19

IRFU020 金属氧化物场效应管 封装:TO-251 材料:N-FET 用途:功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管, 极限电压Vm:50V 极限电流Im:15A 耗散功率P:42W 导通电阻Rds:0.1 开关时间:83/39 国内外相似型号:J1025(A); MTD10N05EL

2009-4-21

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应

2009-4-12

晶体管型号 反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应 IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应

2008-10-25

通常,人们试图通过可变电阻器或可变电阻器连接到一个晶体管来控制直流电动机的转速。而后者的做法效果很好,它会产生热量,从而浪费电力。这个简单的脉宽调制直流电机控制消除了这些问题。它通过驱动马达用的短脉冲来控制电动机的速度。这些脉冲变化的持续时间来改变电机的速度。该脉冲时间越长,速度越快,反之速度越慢。 配件 R11兆1/4W电阻 R2100K电位器 C10.1uF的25V瓷片电容 C20.01uF 25V瓷片电容 Q1MOSFET IRF511 IRF620 U14011 CMOS与非门 S1双

2014-3-6

该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器,1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS(ON)的场效应管(MOSFET)是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器,采用N沟道MOSFET的IRF 540,直流12V输出,输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供,电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出,MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

2014-5-13

电路描述 这是用于控制小型直流电动机速度的电路,它工作得很好,采用脉冲宽度调制(PWM)技术。 原理 556双定时器集成电路的左半部分被用作固定频率的方波振荡器。该振荡器信号被馈送到其被配置为可变脉冲宽度单触发单稳态多谐振荡器(脉冲扩展)的556的右半边。单触发的输出是可变宽度的方波脉冲,该脉冲宽度设定与速度控制电位器上的控制电压输入。可变宽度的输出脉冲导通和截止的IRF521 MOSFET晶体管。在MOSFET放大该信号的电流,使得它也足以控制一个小型直流电动机。311比较器用于当控制电压低

2014-3-3

当电路检测到电话线已被切断时,它激活一个MOSFET可用于驱动继电器,马达等,也可以连接到一个安全系统。连接电话时需要注意极性,因为电路检测电话线路电压作为判别依据。 配件 R1,R2,R322兆1/4 W电阻 R42.2兆1/4 W电阻 C10.47F的250V电容 Q12N3904三极管 2N2222 Q22N3906三极管 Q3IRF510功率MOSFET D11N914二极管 负载见注意事项 备注 负载可以是一个继电器、灯、电动机等的电路,也可以连接到一个安全系统,电话线路被切断的情

2014-3-13

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管(如IRF830那种功率管) 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作,将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图,非稳态的另一半利用一个NPN晶体管,使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大,驱动LED闪烁。

2013-12-15

一个小功率荧光灯驱动电路,不需要任何特殊的组成部分。它使用了一个普通的120V到6V降压变压器,12V电源工作产生大约350V来驱动荧光灯,无需预热灯丝。 配件 C1100UF 25V电解电容 C2,C30.01UF 25V瓷片电容 C40.01UF 1KV瓷片电容 R11K 1/4W电阻 R22.7K 1/4W电阻 Q1IRF510 MOSFET U1TLC555定时器IC T16V300毫安变压器 LAMP4W荧光灯 备注 Q1必须安装在一个散热片上。 一个240V到10V的变压器会更

2014-3-4
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