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VMOS场效应管(VMOSFET)简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(108W)、驱动电流小(0.1A左右),还具有耐压高(最高1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 V

2009-5-22

双极型555和CMOS型555因其制造工艺和流程的不同,生产出的555集成电路的性能指标也有所差异。表1列出了二者的主要电参数指标。 表1双极型555与CMOS型555主要电参数 双极型555和CMOS的555的共同点: 二者的功能大体相同,外形和管脚排列一致,在大多数应用场合可直接替换。 均使用单电源,适应电压范围大,可与TTL、HTL、CMOS型数字逻辑电路等共用电源。 555的输出为全电源电平,可与TTL、HTL、CMOS型等电路直接接口。 电源电压变化对振荡频率和定时精度

2009-5-12

说明: 这种逻辑探头采用单一的CMOS 4001芯片,可以显示高,低脉冲输出。 笔记 这个逻辑探头是基于一个单一的CMOS 4001芯片。 该IC包含四2输入或非门,所有的门都用在这条赛道。 功率逻辑探头取自被测电路和因为CMOS技术被使用时,该电路将与工作电压为3至15伏直流。 低于IC引脚被hown: CMOS集成电路的使用MOSFET的,所以电源端子通常被称为V DD为漏极电压(正)和V SS为源极电压(接地端子)。 在使用TTL集成电路的正电源晶体管电路和逻辑电路通常称为V CC这是

2014-5-8

该电路是一个基于MOSFET的线性稳压器,1安培电流时低至60mV 的电压降。 具有较低的漏极与源极导通电阻RDS(ON)的场效应管(MOSFET)是减少电压差的关键。图1中的电路采用双15伏降压变压器,采用N沟道MOSFET的IRF 540,直流12V输出,输入直流可低至12.06伏。MOSFET栅极所需驱动电压使用电压倍增器提供,电路由二极管D1和D2、电容器C1和C4组成。 电路能够提供高达3A的输出,MOSFET需要足够的散热片。电阻VR1在电路中用于精密调整输出电压。电容器C5和电阻

2014-5-13

TDA8359J:全桥场偏转输出电路 TDA8359J是用于对应25至200Hz场频的90及110色彩偏转系统的功率电路,也可用于4:3及16:9的显像管。此IC有一个场偏转输出电路,可作为一个高效G级系统运行。在单一正电压供电的情况下,全桥输出电路允许偏转线圈直流耦合。 此IC采用低电压DMOS(LVDMOS)处理过程来制造,其内部包含双极性、CMOS及DMOS器件。由于没有二次击穿问题,输出级可使用DMOS三极管。 TDA8359J引脚功能 在TCL **机型上测定 序号 符号

2009-5-4

彩电集成电路TDA8359J:全桥场偏转输出电路 TDA8359J是用于对应25至200Hz场频的90及110色彩偏转系统的功率电路,也可用于4:3及16:9的显像管。此IC有一个场偏转输出电路,可作为一个高效G级系统运行。在单一正电压供电的情况下,全桥输出电路允许偏转线圈直流耦合。 TDA8359J采用低电压DMOS(LVDMOS)处理过程来制造,其内部包含双极性、CMOS及DMOS器件。由于没有二次击穿问题,输出级可使用DMOS三极管。 在TCL **机型上测定 序号

2009-3-31

这个200W的MOSFET功率放大器,适用于多种应用,如吉他扩音器,麦克风或家庭影院。由于很多人喜欢,因为它使用MOSFET晶体管。MOSFET放大器的额定功率为200W功率4扬声器。频率响应在20Hz到80kHz(1dB),200W全功率信噪比总谐波失真小于0.1%。 样机的性能 输出功率(RMS):... 140W,8欧姆,200W,4欧姆 频率响应:20Hz - 80kHz - 1分贝 输入灵敏度:830mV ............为200W,4欧姆 失真:... 0.1%(20赫兹

2014-5-18

MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型。 其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻。它也分N沟道管和P沟道管,符号如图1所示。通常是将衬底(基板)与源极S接在一起。根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而

2009-3-8

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管(如IRF830那种功率管) 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作,将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图,非稳态的另一半利用一个NPN晶体管,使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大,驱动LED闪烁。

2013-12-15

【题目1】: 如何理解国产集成电路型号的命名法和主要技术指标? 【相关知识】:常用数字集成电路结构、外部特性和主要参数。 【解题方法】:数字集成电路除了TTL和CMOS两大类外,还有DTL,HTL,ECL,I2L,PMOS,NMOS等类型,这些类型的集成电路都可以看成是TTL和CMOS电路的改进型,使用时只要注意器件的参数即可,器件的参数可从器件手册上查到,了解集成电路型号的命名法对正确使用集成电路有帮助。 【解答过程】:1、 国产集成电路型号的命名法 国产集成电路器件的型号由五部分组成,各部分

2009-7-20

当按下S1按钮电路被激活,时间继电器将在指定的时间后启动负载。这个时间是可调的,仅仅通过改变一个电阻和/或电容值以达到任何你想要的延迟时间。该电路的电流容量仅受限于你决定使用什么样的继电器。 4011 CMOS与非门集成电路构建的延时继电器 配件 C1见注释 R1见注释 D11N914二极管 U14011 CMOS与非门集成电路 K16V继电器 S1常开按钮开关 备注 使用公式 R1 * C1 * 0.85 = T 来计算延迟时间,其中R1是R1欧姆的值,C是C中uF的值,而T是时间延迟(秒

2014-3-10

我不知道为什么,但人们喜欢闪烁的灯光。你看LED追逐灯,在电视节目(霹雳游侠),电影和商店的橱窗。这个示意图是我的一个简单版本10个LED追逐灯。没有使用555定时器,因为在我当地的电子商店中使用它们不便宜。相反,由一个4011 CMOS与非门电路的两个部分制作脉冲振荡器。该芯片是非常便宜,非常普遍。 配件 R11兆1/4W电阻 R2100K电位器 R31K 1/4W电阻 C10.1uF的16V陶瓷电容器 U14011 CMOS与非门 U24017 CMOS计数器 LED1-10任何颜色的LE

2014-3-6

MC13135是美国MOTOROLA公司开发的二次变频单片窄带调频接收电路,主要改进和增强了信号处理电路、第一本振级和RSSI电路,采用MOTOROLA的MOSAICTM1.5处理技术,改善音频解调的失真及驱动电路,MC13135具有低噪声,在高稳定性前提下具备较宽的工作电压范围定的特点。 MC13135内含振荡器、VCO变容调谐二极管、低噪声第一和第二混频器及LO、高性能限幅放大器、RSSI。其中提供LC积分检波器,为RSSI缓冲器和数据比较器设置了一级运算放大级。 MC13135适合

2008-11-10

MC13136是美国MOTOROLA公司开发的二次变频单片窄带调频接收电路,主要改进和增强了信号处理电路、第一本振级和RSSI电路,采用MOTOROLA的MOSAICTM1.5处理技术,改善音频解调的失真及驱动电路,MC13136能提供低噪声,在高稳定性前提下具备较宽的工作电压范围。 MC13136内含振荡器、VCO变容调谐二极管、低噪声第一和第二混频器及LO、高性能限幅放大器、RSSI。其中提供LC积分检波器,为RSSI缓冲器和数据比较器设置了一级运算放大级。 MC13136适合于VHF单片接

2008-11-10

TDA7294是SGS-THOMSON意法公司推出的一款音色颇有新意的DMOS大功率音频功率放大器集成电路,一扫以往线性集成功放和厚膜集成功放生、冷、硬的音色,广泛用于Hi-Fi领域。它具有较宽范围的工作电压,(VCC+VEE)=80V;较高的输出功率(高达100W的音乐输出功率),并且具有静音待机功能,很小的噪声和失真,内部集成有短路电流及过热保护功能。TDA7294内部线路设计以音色为重点,兼有双极信号处理电路和功率MOS的特点,具有耐压高、低噪音、低失真度、重放音色极具亲和力等特色。 TD

2010-1-23

这是一个简单的5V/5W开关电源电路。采用了一片TOP210三端PWM开关集成电路。TOP210内含PWM控制器,功率MOSFET和各种保护电路。该电源交流输入电压范围为85~265V,当负载从额定负载的10%变化到100%,电源电压调整率和负载电流调整率可达+-5%。该电源还具有过压、超温保护和限流等功能。 TOP210的D脚为内部输出MOSFET的漏极,C脚为内部误差放大器和反馈电流输入脚,用来调整开关电源的占空比。S脚为内部MOSFET的源极,也是内部控制电路的公共端。 交流输

2009-6-1

本装置电路简单,易于调试,性能可靠,逆变和充电自动转换,带电瓶电量指示。由于使用了大功率VMOS管,故效率高而成本又较低,适合电子爱好者组装。 工作原理 电路工作原理见图1。VT1和VT2构成多谐振荡器,振荡频率为5Hz。当电压下降时,为使频率不变,振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压,直接推动VMOS大功率管,经变压器升压后的220V交流电从插座CZ引出。 继电器J1用于逆变和充电的自动转换。当电网送电时,J1通电,则J1-3接通电网电源,J1-2从变压器

2008-10-21

该电路被设计成可伸缩鞭状天线的接收信号前置放大。前置放大器旨在涵盖中波频段大约550kHz到1650Khz。调谐电压通过一个10K电位器RV2连接到12伏电源供电。 RV1是增益控制允许微弱的信号被放大或强烈的信号被衰减。控制电压施加到TR1,双栅极MOSFET,通过门1所施加的信号电压的栅极2; 输入信号被经由器330uH线圈和两个KV1235变容二极管在MOSFET的输入,并通过在BF981 MOSFET的漏极端子的相同组件的双调谐。两个调谐电路提供在整个调谐范围高选择性。以有助于稳定性的

2014-5-6

MOC3041是光电耦合器。内部包括一只砷化镓红外发光二极管和单片硅探测器,构成双向可控硅过零触发驱动程序,用于逻辑控制电路系统,如固态继电器,工业控制,电机,电磁铁和消费类电子产品等。 光电耦合器MOC3041管脚功能 1 。阳极 2 。阴极 3 。空 4 。输出1 5 。空 6 。输出2

2009-5-29

这个电路类似于前文的一个,但采用了N沟道场效应晶体管代替NPN晶体管,如IRF530,540,640,等等。较小的MOSFET可以使用,但我不知道有哪些型号。我测试的电路使用了IRF640,IRFZ44,IRFZ34和REP50N06。 该电路具有相同的三个优点,只需要几个元件,电源首次接通继电器总是停用状态,并且不需要任何开关去抖。 在操作中,当继电器被去激活时,100uF的电容将充电到6伏。当按钮被按下时,电容将适用于6伏到MOSFET的栅极将其打开。电容电压(栅极电压)在约200毫秒将从

2014-3-17

555时基电路+过零通断型光电耦合器MOC3061构成的风扇周波调速电路(风扇阵风控制电路),周期约20秒。电路图如下: 工作原理: 图1a电路中NE555接成占空比可调的方波发生器,调节RW可改变占空比。在NE555的3脚输出高电平期间,过零通断型光电耦合器MOC3061初级得到约10mA正向工作电流,使内部硅化镓红外线发射二极管发射红外光,将过零检测器中光敏双向开关于市电过零时导通,接通电风扇电机电源,风扇运转送风。在NE555的3脚输出低电平期间,双向开关关断,风扇停转。 MOC3061

2008-8-26

这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管,普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率,免除了烦琐的变压器绕制,适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 一、方波的产生 这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻,用于改善由于电源电压的变化而引起的震荡频率不稳。电路的震荡是通过电容C1充放电完成的。其振荡频率为f=1/2.2RC。图示电路的最大频率为:fmax

2008-10-21

本文所述电路的作用是将12伏20安培太阳能充电控制器修改为60安培,使其能够对更高容量的蓄电池进行充电。类似的修改可被执行以实现40安培(2套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)或80安培(4套IRF4905的MOSFET和20L15T二极管)的最大工作电流。本文介绍的修改为60安培。 这些修改是在 12伏20安培太阳能充电控制器 电路基础之上进行,下文称之为原电路。 原电路的修改 原电路需要一些小的改动,充电电流开关元件Q2和D1必须从原电路中去掉。电阻R24和R25应更改为新值

2014-1-23

该电路用于调节从直流输出风力发电机给铅酸电池充电。它在闲置时功耗最低,风力发电机提供有效输出电压时给蓄电池充电。电池充满后过剩电量被转移到一个较大的负载电阻器,在寒冷气候下使用时所产生的热量可以用来保持电池温暖。 该电路的功能切换遵循先合后断原则。这确保了风力发电机的输出端要么连接电池,要么连接负载电阻,不会产生高电压瞬变,保护MOSFET晶体管。 该电路的工作电源由12V蓄电池提供。78L05稳压IC输出5V电源提供给逻辑电路。电压倍增器电路是由由一个触发器在一个4013的CMOS集成电路制

2014-1-28

这个触摸开关是想到靠近的两个电极片,用手指触摸就可切换电路的开与关。触摸开关没有机械部件磨损,所以他们比普通机械开关能够持续工作的时间更长。相比普通开关,触摸开关可以在潮湿或灰尘很大的地方稳定工作。 双电极触摸开关 配件 C116V 10uF的电解电容 R1,R2100K 1/4瓦的电阻 R310兆1/4瓦的电阻 U14011 CMOS与非门集成电路 备注 接触电极是两个靠近但绝缘的电极,你可以根据实际需要用任何导体材料制作。 当被激活时,该电路的输出为约一秒高电平。这个脉冲可以用来驱动继

2014-3-10

下面的电路采用CMOS双D触发器(CD4013),用瞬时按钮切换继电器或其他负荷。一些按钮可被并行连接,以从多个位置控制继电器。 从按钮取得的触发电压通过一个小(0.1uF的)电容器耦合。来自Q(引脚1)输出高电平由上部晶体管反相,提供一个约400毫秒低电平的复位电平到复位引脚,在此之后,复位引脚返回到高电平状态并复位触发器。下触发器部被配置为触发操作和时钟线的上升沿或在同一时间作为上触发器移动到与设定条件改变状态。开关去抖由于短持续时间相对设置的信号与持续时间长的电路被复位之前。在Q或输出端

2014-3-17

这是一个CMOS集成电路(CD4033)制作的非接触式电源指示器。电路可用于交流电源的无接触检测,判断电压有无。因此可以不从导体除去绝缘检测电源的交流电压。就在附近的导体,它可以探测到交流电压的存在。如果交流电压不存在,固定显示一个随机数字(0到9)。如果电源在导体,传感探头会感应到电场。由于IC使用的是CMOS类型,它的输入阻抗非常高,由此引起的电压足以激活时钟计数器电路。因此,显示计数从0到9迅速变化。这是对电源存在的指示。电路结构紧凑,一个9伏PP3电池可用于这个小工具。

2014-5-14

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。下面介绍用万用表检测IGBT管的方法。 IGBT管好坏的检测 IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测,或用数字万用表的二极管挡来测量PN结正向压降进行判断。 检测前先将IGBT管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;

2009-5-22

美国IR公司生产的IR2110驱动器。它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔离(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。 IR2110采用HVIC和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装。具有独立的低端和高端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=50V/ns,15V下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS电平相匹配,而且逻辑电源地和

2009-5-3

电路描述 这是用于控制小型直流电动机速度的电路,它工作得很好,采用脉冲宽度调制(PWM)技术。 原理 556双定时器集成电路的左半部分被用作固定频率的方波振荡器。该振荡器信号被馈送到其被配置为可变脉冲宽度单触发单稳态多谐振荡器(脉冲扩展)的556的右半边。单触发的输出是可变宽度的方波脉冲,该脉冲宽度设定与速度控制电位器上的控制电压输入。可变宽度的输出脉冲导通和截止的IRF521 MOSFET晶体管。在MOSFET放大该信号的电流,使得它也足以控制一个小型直流电动机。311比较器用于当控制电压低

2014-3-3

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