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可控硅也称晶体闸流管(晶闸管),普通单向可控硅是一种PNPN四层半导体器件,内含三个PN结,有三个引出电极,分别是阳极A,阴极K和控制极G。而双向可控硅则为NPNPN 五层半导体器件,三个电极分别是门极G、第一阳极T1、第二阳极T2。下面介绍其工作理和电极的判定。 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件,共有三个PN 结,分析原理时,可以 把它看作由一个PNP 管和一个NPN 管所组成,其等效图解如图1所示 当阳极A 加上正向电压时,BG1 和BG2 管均处于放大状态。此时,

2009-4-30

二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。 1.势垒电容CB(Cr) PN结内缺少导电的载流子,其电导率很低,相当于介质;而PN结两侧的P区、N区的电导率高,相当于金属导体。从这一结构来看,PN结等效于一个电容器。 事实上,当PN结两端加正向电压时,PN结变窄,结中空间电荷量减少,相当于电容放电,当PN结两端加反向电压时,PN结变宽,结中空间电荷量增多,相当于电容充电。这种现象可以用一个电容来模拟,称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处,在于它的电容量并非常数,

2009-5-24

2S系列晶体三极管为日本生产型号,以下分别给出其常用型号的参数,供参考。 常用2SA系列(PNP型高频管)三极管参数 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP

2009-5-27

晶体三极管结构 晶体三极管 (Transistor)简称晶体管,也是一种用半导体制成的半导体器件。晶体管有两种结构,分别称为NPN型晶体管和PNP型晶体管。 如果在两块N型半导体之间夹上一块很薄的P型半导体,并且紧密地结合在一起,就可形成一个NPN型晶体管,同样地,如果在两块P型半导体之间夹上一块薄的N型半导体,就可形成一个PNP型晶体管,如下图标 晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下 PNP型三极管与NPN型三极管电路符号 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 (b)是三极管的输入特性曲

2009-2-26

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W * * NPN MJ10016 500V 50A 200W * * NPN MJ10025 850V 20A 250W * * NPN MJ11032 120V 50A 300W * * NPN MJ11033 120V 50A 300W * * NPN MJ13333 400V 20A 175W * *

2009-5-27

电子开关 这是一个双按键的电子开关,让我们来看看它是如何工作的。 当电源接通时,两个晶体管均处于截止状态,电路不通相当于关闭的开关。 按下ON按键,NPN晶体管获得偏置电流导通,电压加载至负载后在R L 两端产生电压,这个电压促使PNP晶体管导通并给NPN晶体管提供偏置电流,形成互锁,放开ON按键电路依然保持导通,使负载持续工作。 按下OFF按键,PNP晶体管截止,NPN晶体管同时失去偏置电流也截止,电路关闭。 可以看出,这个电子开关会降低负载的工作电压约1V,并且R L 需要根据负载电流

2013-11-4

中国半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2(二极管)、 3(三极管) 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时: A(N 型锗材料)、 B(P 型锗材料)、 C(N 型硅材料)、 D(P 型硅材料)。 表示三极管时: A(PNP 型锗材料)、 B(NPN 型锗材料)、 C(PNP 型硅材料)、 D(NPN 型硅材料)。

2008-7-14

乙类放大电路有着静态功耗小,效率高的优点,但同时也存在严重的交越失真,图a是一个典型的乙类互补对称放大电路,由NPNPNP两只对称管完成推挽放大过程。 (a)乙类放大电路 图a所示的电路中,T1和T2分别为NPN型管和PNP型管,两管的基极和发射极相互连接在一起,信号从基极输入,从射极输出,RL为负载。由于该电路无基极偏置,所以vBE1 = vBE2 = vi 。当vi =0时,T1、T2均处于截止状态,所以该电路为乙类放大电路。 当输入信号Ui处于正半周时,vBE1 = vBE2

2009-3-11

光敏二极管又叫光电二极管。 光敏二极管也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单向导电特性。它在电路中的符号是: 光敏二极管的重要特性就是把光能转换成电能。在没有光照时,光敏二极管的反向电阻很大,反向电流很微弱,称为暗电流。当有光照时,光子打在pn结附近,于是在pn结附近产生电子-空穴对,它们在pn结内部电场作用下作定向运动,形成光电流。光照越强,光电流越大。光的变化引起光电二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。 光敏二极管在应用电路中的两种工作状态:

2008-5-17

光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。同普通二极管一样,它的核心部分也是一个PN结,所不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射,实现光电转换。 光敏二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安),称为暗电流。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子---空穴对,称为光生载流

2009-3-27

1、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器

2008-11-7

超级简单的闪光电路 下面是一个没有使用电阻的简单的闪光电路!然而,它依靠渗漏锗PNP晶体管的基极,只有小部分会工作,准备尝试一些。如果您从基础增加一个100k电阻到PNP的集电极电路将与大多数锗晶体管工作,将工作到1 VDC!NPN应该是一个硅型。100 uF的可以用22UF代替串联一个电阻5K,这将增加39欧姆的串联与NPN的基(但随后的电路开始失去其简约迷人)一个好主意。 需要多几个部分,这样低的电压闪光器使用普通的硅晶体管,是由两个单元供电。该电路将工作到大约1.6伏。 换一个600毫

2013-12-7

正负双集成稳压器LW80L的典型应用电路 五端固定输出正负双集成稳压器LW80M的典型应用电路 W1511的扩大输出电流的应用电路 如图所示是用Wl511Y多端可调负集成稳压器组成的扩大电流的应用电路。这个电路是采用外接功率三极管的方法来扩大电流应用,也可用小功率PNP管与大功率NPN管复合成PNP大功率管的方法来扩大电流应用。限流电阻Rsc根据下式计算(减流型保护): 。如设输出工作电流Iout为2 A,则: 。减流型保护外接电阻 。一般R5可用电位器进行调节。当扩大电流应用时,输入滤波

2009-6-18

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 MJ10012 400V 10A 175W NPN(达林顿) MJ10015 400V 50A 200W NPN MJ10016 500V 50A 200W NPN

2009-4-12

一个LED闪光 这两个LED闪光电路一样吗?你也可以说它们一样,因为它们使用的元器件完全一样,唯一不同的是两个晶体管换了个位置,一个NPN,另一个PNP。 这两个电路的LED闪烁非常明亮,平均电流消耗不大于2mA。第二个电路,允许您使用高功率NPN晶体管作为驱动。 两个LED闪光 这两个电路两个LED指示灯将闪烁非常明亮,消耗的平均电流不大于2mA。他们需要6V电源。

2013-11-3

单结晶体管的结构 单结晶体管又称为双基极二极管,它的结构如图1所示。在一片高电阻率的N型硅片一侧的两端各引出一个电极,分别称为第一基极B1和第二基极B2。而在硅片是另一侧较靠近B2处制作一个PN结,在P型硅上引出一个电极,称为发射极E。两个基极之间的电阻为RBB,一般在2~15kW之间,RBB一般可分为两段,RBB = RB1+ RB2,RB1是第一基极B1至PN结的电阻;RB2是第一基极B2至PN结的电阻。单结晶体管的符号见图1的右侧。 图1 单结晶体管的结构、符号、等效电路 单结晶体管工

2009-3-20

这是对非稳态多谐振荡器的变体。电路是最近开发的用于测试N-氧化物半导体场效应晶体管(如IRF830那种功率管) 电路可以测试所有的坏MOSFET或所有故障MOSFET。如果MOSFET工作,将工作在非稳态多谐振荡器电路使LED闪烁。 一个坏的MOSFET不会导致LED闪烁。 下面是电路图,非稳态的另一半利用一个NPN晶体管,使得电路便宜。几乎所有的NPN晶体管能够工作在这个电路。 右边的NPN晶体管作为一级缓冲放大,驱动LED闪烁。

2013-12-15

控制一个直流电压的一个简单但效率较低的方法是使用一个分压器和晶体管发射极跟随器配置。 下图显示了使用一个1K的电位器来设置一个中等功率NPN晶体管的基极电压。在NPN晶体管的集电极供给大部分电流到负载较大PNP功率晶体管的基极。输出电压将低于1K电位器中点电压约为0.7伏,因此输出可以调整从0到满电源电压减去0.7伏。 使用两个晶体管提供大约1000或更多的电流增益,以使从分压器供给2N3053基极的电流仅几毫安,输出电流则可以到数安培。注意,该电路比使用脉宽调制降压的方法效率低。一个相当大的

2014-3-14

用一般的万用表是不能测出晶振的好坏的,这里提供了一种简单而实用的晶振检验器,它只采用一个 N 沟道结型场效应管(FET),两个普通 NPN 小功率晶体三极管,一个发光管和一些阻容元件,便可有效的检验任何晶振的好坏。 如图所示,2N3823 结型 N 沟道场效应管(可用任何其它型号的同类小功率场效应管,如 3DJ6,3DJ7 等)与被测晶体(晶振)等组成一个振荡器,两个两个 NPN 三极管 2N3904(也可用其它任何型号的小功率 NPN 三极管)接成复合检波放大器,驱动发光二极管 LED。若被测

2008-9-15

适用机型: 长虹C2518P、C2919P/PS/PV/PK/PD/PN/PW、C2939KS/KV/KE/AE/KN、C2920、C3418P/PV/PN/PB、C3419PN/PT/PB /D (NC-3机芯)系列彩电: 一、维修模式进入方法 (1)先按遥控器的F键和TV/AV转换键(注意按F键时,要尽量向右按,或将遥控器内F键处的左边印制板接触点用胶布粘住)。 (2)松开F和TV/AV键,再逐步按遥控器上数字键1、0、4、8四个键。操作得当,屏幕上显示M字符。 (3)出现M字符后,按F和节

2009-5-24

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN 2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN

2009-4-12

2N5551是硅NPN型小功率高频晶体三极管,采用TO-92封装,其外形和管脚排列如图所示: 1脚:发射极E; 2脚:基极B; 3脚:集电极C 2N5551主要参数: 集电极-发射极最高耐压V CEO =160V 集电极-基极最高耐压V CBO =180V 发射极-基极最高耐压V EBO =6V 最大集电极电流I CM =600mA 最大集电极功耗P CM =600mW 最高结温Tj=150℃ 贮存温度范围Tstg=-55℃~150℃ 直流放大倍数H FE =50~200 特征频率fT=100~

2009-5-22

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * PNP 2SA1013R 160V

2009-4-12

2SA2151/2SC6011是日本SANKEN(三肯)公司生产的音响对管,其中2SA2151为硅PNP型三极管,2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装,外形和管脚排列如下: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数: 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=

2009-5-8

晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿)

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SC1008 80V 0.7A 0.8W 50MHZ NPN 2SC1047 30V 0.015A 0.15W * NPN 2SC106 60V

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN 2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN 2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN 2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN

2009-4-12

三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SD1545 1500V 5A 50W * * NPN 2SD1546 1500V 6A 50W * * NPN

2009-4-12

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