2S系列晶体三极管为日本生产型号,以下分别给出其常用型号的参数,供参考。 常用2SA系列(PNP型高频管)三极管参数 晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * * PNP 2SA1013R 160V 1A 0.9W * * PNP 2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP 2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP
可控硅也称晶体闸流管(晶闸管),普通单向可控硅是一种PNPN四层半导体器件,内含三个PN结,有三个引出电极,分别是阳极A,阴极K和控制极G。而双向可控硅则为NPNPN 五层半导体器件,三个电极分别是门极G、第一阳极T1、第二阳极T2。下面介绍其工作理和电极的判定。 1、工作原理 可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件,共有三个PN 结,分析原理时,可以 把它看作由一个PNP 管和一个NPN 管所组成,其等效图解如图1所示 当阳极A 加上正向电压时,BG1 和BG2 管均处于放大状态。此时,
晶体三极管结构 晶体三极管 (Transistor)简称晶体管,也是一种用半导体制成的半导体器件。晶体管有两种结构,分别称为NPN型晶体管和PNP型晶体管。 如果在两块N型半导体之间夹上一块很薄的P型半导体,并且紧密地结合在一起,就可形成一个NPN型晶体管,同样地,如果在两块P型半导体之间夹上一块薄的N型半导体,就可形成一个PNP型晶体管,如下图标 晶体管的电路符号和各三个电极的名称如下 PNP型三极管与NPN型三极管电路符号 三极管的特性曲线 1、输入特性 图2 (b)是三极管的输入特性曲
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 2SA1009 350V 2A 15W * PNP 2SA1012Y 60V 5A 25W * PNP 2SA1013R 160V
晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型 2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP 2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿)
早期3AX 系列晶体管现在几乎已经看不到,从上世纪就开始从事电子行业工作或电子爱好者手中可能还有此类晶体管。如果你手中有这些晶体管,希望你好好保存,它是一个时代的象征。 3AX31是PNP型锗管,属低频管一类。通常用于低频放大电路中,如早期的收音机功放电路中经常可见。下为 3AX31 技术性能。 (图片方式呈现,点击可放大) 对其中的一些测试条件特别说明如下: ① VCE=-1V,IC=-(4~68)mA,P0=200mW;
FZT788B是一个具有高增益的大功率晶体三极管,硅材料PNP型,平面扩散工艺制造。它采用SOT-223封装,外形和引脚排列如下所示: FZT788B具有非常低的饱和压降和等效电阻,在3A工作电流时其CE饱和等效电阻为93m。同时FZT788B有很高的放大能力,在I C =2A时放大系数为H FE =300。 FZT788B主要参数: 集电极-基极最高反向耐压V CBO =15V 集电极-发射极最高反向耐压V CEO =15V 发射极-基极最高反向耐压V EBO =5V 集电极最大电流I CM
正负双集成稳压器LW80L的典型应用电路 五端固定输出正负双集成稳压器LW80M的典型应用电路 W1511的扩大输出电流的应用电路 如图所示是用Wl511Y多端可调负集成稳压器组成的扩大电流的应用电路。这个电路是采用外接功率三极管的方法来扩大电流应用,也可用小功率PNP管与大功率NPN管复合成PNP大功率管的方法来扩大电流应用。限流电阻Rsc根据下式计算(减流型保护): 。如设输出工作电流Iout为2 A,则: 。减流型保护外接电阻 。一般R5可用电位器进行调节。当扩大电流应用时,输入滤波
MIC29752和MIC29512构成的互锁输出式稳压器电路 MIC29302构成的输出电压为3.3V/5V可选择的稳压器电路 由MIC2951和PNP型晶体管组成的扩流电路 如图所示的电路是采用MIC2951构成的外加一个PNP型晶体管就能将MIC2951的输出电流扩至0.1~3A左右的稳压器电路。该电路的输出电压为 Uo=1.235(1 R1/R2),另外,该电路的输出端除了加一个0.1F的小滤波电容(C3)以外,为了提高输出端电压的稳定度以及降低输出端的噪声,我们还必须另加一个680F
MIC2951构成的具有输入欠压关断功能的稳压器电路 如图所示的电路是采用MIC2951构成的具有输入电压低到某一设定值时便可断开电路的稳压器电路。该电路的设定是:输入电压低到5.5V时,关断;高于6.0V时,又重新启动。关断状态时的内部损耗电流为150A。 MIC2951和PNP型晶体管组成的扩流电路 如图所示的电路是采用MIC2951构成的外加一个PNP型晶体管就能将MIC2951的输出电流扩至0.1~3A左右的稳压器电路。该电路的输出电压为 Uo=1.235(1 R1/R2),另外,该电
本篇说明三端稳压器(固定或可调版本)外接大功率三极管扩流的电路接法。三端稳压器扩流应用在一些重负载电路中是需要的,下面介绍几种外接扩流管方法。 一、外接PNP型大功率管扩流方法 上图中的LM317可调三端稳压器扩流电路,输入端的6.1欧姆电阻用于电流检测,当负载电流上升至约50mA时,两端电压约0.3V,PNP型大功率管3AD53开始导通分流,最大可承受6A的负载电流。同时,由于LM317的限制,3AD53不会破坏电路的稳压特性。 如果需要更大的负载电流能力,可用二只或多只大功率三
中国半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、 PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。 2(二极管)、 3(三极管) 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。 表示二极管时: A(N 型锗材料)、 B(P 型锗材料)、 C(N 型硅材料)、 D(P 型硅材料)。 表示三极管时: A(PNP 型锗材料)、 B(NPN 型锗材料)、 C(PNP 型硅材料)、 D(NPN 型硅材料)。
乙类放大电路有着静态功耗小,效率高的优点,但同时也存在严重的交越失真,图a是一个典型的乙类互补对称放大电路,由NPN和PNP两只对称管完成推挽放大过程。 (a)乙类放大电路 图a所示的电路中,T1和T2分别为NPN型管和PNP型管,两管的基极和发射极相互连接在一起,信号从基极输入,从射极输出,RL为负载。由于该电路无基极偏置,所以vBE1 = vBE2 = vi 。当vi =0时,T1、T2均处于截止状态,所以该电路为乙类放大电路。 当输入信号Ui处于正半周时,vBE1 = vBE2
电子开关 这是一个双按键的电子开关,让我们来看看它是如何工作的。 当电源接通时,两个晶体管均处于截止状态,电路不通相当于关闭的开关。 按下ON按键,NPN晶体管获得偏置电流导通,电压加载至负载后在R L 两端产生电压,这个电压促使PNP晶体管导通并给NPN晶体管提供偏置电流,形成互锁,放开ON按键电路依然保持导通,使负载持续工作。 按下OFF按键,PNP晶体管截止,NPN晶体管同时失去偏置电流也截止,电路关闭。 可以看出,这个电子开关会降低负载的工作电压约1V,并且R L 需要根据负载电流
1、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器
超级简单的闪光电路 下面是一个没有使用电阻的简单的闪光电路!然而,它依靠渗漏锗PNP晶体管的基极,只有小部分会工作,准备尝试一些。如果您从基础增加一个100k电阻到PNP的集电极电路将与大多数锗晶体管工作,将工作到1 VDC!NPN应该是一个硅型。100 uF的可以用22UF代替串联一个电阻5K,这将增加39欧姆的串联与NPN的基(但随后的电路开始失去其简约迷人)一个好主意。 需要多几个部分,这样低的电压闪光器使用普通的硅晶体管,是由两个单元供电。该电路将工作到大约1.6伏。 换一个600毫
这种低电压电源可以为各种12V(标称值)直流设备供电,如双向无线电通讯设备和音响设备。它可以提供13.8V电压4安培电流输出,功率55瓦。 原理 电源变压器120VAC转换成38VAC中心抽头。这被馈送到两个二极管全波整流把交流电转化为直流电。12000 uF的电容进行滤波,100nF的电容进行高频滤波。 该稳压器配置通过添加一个高电流三极管,电压调节器的电流容量可以被大大地增强。在这个电路中,调节器被改为使用一个可调节的类型(LM317L)和一个高增益PNP达林顿晶体管(2N6052)。该L
指针式万用表中大多会用到15V的叠层电池,如果一时买不到这样的电池,则可用一些简单的直流升压电路来代替。下面是一个极简单的叠层电池代替电路,可将1.5V电压升至15V供万用表使用。 电路图如图1所示。电路由三极管VT、升压变压器T、二极管VD、电容C与电源GB五个元器件组成。三极管VT和升压变压器T构成变压器反馈式振荡器,当电源输出端有负载电流通过时,三极管VT就有基极电流通过,电路就振荡工作;反之,没有基极电流,电池也不消耗电流,所以此电路不设电源开关。 图1 元器件选择: VT:PNP型小功
2SA1215 是PNP型平面硅三极管,它主要应用于音频功率放大器、DC-DC大功率直流变换器等场合。具有高电流能力,高耗散功率,与2SC2921可组成互补对管。 2SA1215外形尺寸: 2SA1215极限参数(绝对最大额定值):(环境温度Ta=25℃) 集电极-基极反向电压V CBO :-160V 集电极-发射极反向电压V CEO :-160V 发射极-基极反向电压V EBO :-6V 集电极直流电流I C :-15A 集电极耗散功率P C :150W 结温Tj:150℃ 贮藏温度Tstg
2SA2151/2SC6011是日本SANKEN(三肯)公司生产的音响对管,其中2SA2151为硅PNP型三极管,2SC6011为硅NPN型三极管。它们采用相同的TO-3P封装,外形和管脚排列如下: 1脚:基极; 2脚:集电极; 3脚:发射极 2SA2151/2SC6011音响对管的主要参数: 集电极-基极最高耐压=230V 集电极-发射极最高耐压=230V 发射极-基极最高耐压=6V 最大集电极电流=15A 最大耗散功率=160W 最高结温=150℃ 贮存温度=-55~150℃ 直流放大系数=
一个很好的稳压电源,是通过优秀的LM317T可调稳压器芯片简单地增加一个PNP功率晶体管来实现。这样一来该电路能够提供至少2A安培40V的电源输出。 R1__3R9 1或2W电阻 R2__22R 1/4W电阻 R3__6K8 1/4W电阻 R4__220R 1/4W电阻 R5__4K7 1/2W电阻 C1__3300F 50V电解电容(或4700F 50V) C2,C5__100nF 63V涤纶电容器 C3__10F63V电解电容 C4__220F50V电解电容 D1__整流桥100V 4A
分流调节器技术在太阳能充电器中可有效地应用于调节铅酸蓄电池的充电电压。分流调节器连接在负载而不是与负载串联。它通过从太阳能面板分流多余的电流来调节电压。 该电路是一个简单的并联型太阳能充电控制器,相比串联型太阳能充电调节器更简单。 6V的太阳能充电分流调节器原理 电路的功能 D10是肖特基隔离二极管,它使电池不会被充电控制器和太阳能面板放电。D10的低正向电压(低电流时约0.25V)意味着太阳能电池板电压比蓄电池高0.25V以上就可充电。分流调节器由两个晶体管(Q1和Q2)在复合NPN/PNP
9012是硅PNP型低频小功率三极管,与9013可组成对管。 集电极电流Ic:Max -500mA 工作温度:-55℃ to +150℃ 集电极-基极电压Vcbo: -40V 三极管9012管脚图 介绍:emitter是发射极 collector是集电极 base是基极 〈贴片9012管脚图资料〉
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 特征频率 管子类型 9011 50V 0.03A 0.4W 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * PNP 9013 50V
BC556,BC557,BC558,BC559均为小功率硅外延平面晶体管,用于小信号处理。采用TO-92封装,它们的外形和管脚排列如下: 1脚:集电极C; 2脚:基极B; 3脚:发射极E 极限参数: BV CEO :BC556=65V; BC557=45V; BC558/559=30V BV CBO :BC556=80V; BC557=50V; BC558/559=30V BV EBO :5V 耗散功率500mW; 集电极电流100mA 结温:150℃ 贮藏温度:-55~150℃ 电参数: 集电
垫高零电位的高输出电压集成稳压电源(BG602) 两个BG602输出电压叠加的集成稳压电源 高输入电压集成稳压电源电路之二(BG602) 高输入电压集成稳压电源电路之一(BG602) 用PNP型功率晶体管扩流的BG602集成稳压电源
CW117/CW217/CW317构成的用外接PNP型功率晶体管来扩展电流的集成稳压电源 CW117/CW217/CW317构成的 1OV输出的高稳定性集成稳压电源 CW117/CW217/CW317构成的0~30V连续可调的集成稳压电源 CW117/CW217/CW317高精度、高稳定性的 10V集成稳压器
垫高零电位的高输出电压集成稳压电源(CW200) 高输入电压集成稳压电源电路(CW200) 用PNP型功率晶体管扩流的CW200集成稳压电源 用NPN型功率晶体管扩流的CW200集成稳压电源 负输出电压集成稳压电源(CW200)
三极管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 管子类型 DTC114ES 50V 0.1A 0.25W NPN DTC124ES 50V 0.1A 0.25W PNP IRF130 100V 14A 79W NMOS场效应
两个软启动电源。输出电压缓慢上升至所期望的电压值。 输出电压缓慢上升,在5秒后达到15 V。 为了执行这个软启动功能,LM317稳压IC需要一个外部通用PNP晶体管,L200使用其内部比较器(引脚2)。 接通电源之后,在电解电容器的正侧的电压缓慢上升,三极管由最初的导通状态逐渐变为截止状态,从而在LM317的调整脚电压有一个逐渐上升的过程。在L200电路,相应的电解电容器的电压上升逐渐放松L200内部的电流调节环路。
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