晶体管元件查询
型号：2N6422
类型：PNP三极管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】35 W
集电极电流（IC）：2 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：500 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：300 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：6 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：5000 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：500 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝1 A】0.75 V
【集电极电流（Ic）＝1 A】0.75 V
特征频率（fT）：10 MHz
直流放大系数（hFE）：8~80
芯片材质：硅
备注：与2N3585互补
封装：TO-66
更多PNP三极管2N64212SB5292SA18402SA18302SAR553PB8922SA18552SB10342SA16682SA19982SA18272SA11332SB11882SA17252SB720