晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:2N6761
类型:N沟道场效应管
耗散功率(PD):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
75 W
漏极电流(ID):
【管壳温度(Tc)=25 ℃】
4 A
漏极和源极电压(VDSS):450 V
漏极和源极通态电阻(RDS(on)):2 Ω
封装:TO-3

更多N沟道场效应管YFW20N60A6(20N60AP)SGD1K1N65W32SK183H,183HESGB600N70W3RU7088R2SK363890N25SMK630DHY3410PSMTP3N3590N03LIXTX3N250LSSH7N60ABUZ334SVD10N60

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