晶体管元件查询
型号：2N7075
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：150 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.065 Ω
封装：TO-254AA
更多N沟道场效应管IXTH10N60SSH7N80ALNG2N60JCS2N60CSTU7NA90IRFK6J150IXFT15N100Q3SVF4N65AIRF533BUK446/800BFLM6472-25DAMGFC39V6471DHE80N08FHP75N100IRFPF52