晶体管元件查询
型号：2SB1086
类型：PNP三极管
总耗散功率（Ptot）：20 W
集电极耗散功率（PC）：10 W
集电极电流（IC）：1.5 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：120 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：120 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：160 V
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝1 A】2 V
【集电极电流（Ic）＝1 A】2 V
特征频率（fT）：50 MHz
直流放大系数（hFE）：56-390
芯片材质：硅
封装：TO-126
更多PNP三极管2SB5372SA16842SB12032SA12442SB11662N62112SA1930MJD29552SB12042SB1168