晶体管元件查询
型号：2SB481
类型：PNP三极管
总耗散功率（Ptot）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】6 W
集电极电流（IC）：1 A
集电极最大允许电流（ICM）：3 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：32 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：32 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：10 V
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：1000 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝1 A】0.08 V
特征频率（fT）：0.015 MHz
直流放大系数（hFE）：36~185
芯片材质：锗
封装：TO-66
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