晶体管元件查询
型号：2SB632
类型：PNP三极管
集电极耗散功率（PC）：10 W
集电极电流（IC）：2 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：25 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：25 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝1.5 A】0.9 V
【集电极电流（Ic）＝1.5 A】0.9 V
特征频率（fT）：100 MHz
直流放大系数（hFE）：60-320
芯片材质：硅
封装：TO-126
更多PNP三极管BD5162N44072SA1635BD6382N6421ZTX7532SA18302SB14342SB13012SA1385-ZBD2382SB1357B7392SB739MPS751