晶体管元件查询
型号：2SB656
类型：PNP三极管
集电极耗散功率（PC）：125 W
集电极电流（IC）：12 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：160 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：160 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝10 A】3 V
【集电极电流（Ic）＝10 A】3 V
特征频率（fT）：20 MHz
直流放大系数（hFE）：60-200
芯片材质：硅
封装：TO-3
更多PNP三极管2SA21202SA1744BDV642SB6552SA10942SA1568BD7102SB6972SB6792SA10502SB1136BD7122SB14682SB8172SA1600