晶体管元件查询
型号：2SB819
类型：PNP三极管
总耗散功率（Ptot）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】1 W
【环境温度（Ta）＝25 ℃】1 W
集电极电流（IC）：1.5 A
集电极与基极最高耐压（VCBO）：50 V
集电极与发射极最高耐压（VCEO）：40 V
发射极与基极最高耐压（VEBO）：5 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：100 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：10 μA
集电极与发射极饱和电压（VCE(sat)）：
【集电极电流（Ic）＝1.5 A】1 V
【集电极电流（Ic）＝1.5 A】1 V
特征频率（fT）：150 MHz
直流放大系数（hFE）：80~220
芯片材质：硅
备注：与2SD1051互补
更多PNP三极管AC128AC188SS85502SA12422SB985B8922SB7332SB11172SB10662SA1666UAC188KZTX7492SA11242SA17762SB1236