晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：2SK2012
类型：N沟道场效应管（绝缘栅型）
耗散功率（PD）：40 W
漏极电流（ID）：18 A
漏极和源极电压（VDSS）：250 V
封装：4-284

更多N沟道场效应管（绝缘栅型）MG2N252SK15562SK458IRF540N2SK8002MI50S-0502SK272FT61102SK1278PU74562SK785P75NF75FP2SK14572SK905YTF641

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