晶体管元件查询
电压 V　 电流 A
型号：2SK666
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：0.2 W
漏极电流（ID）：0.15 A
漏极和源极电压（VDSS）：4 V
封装：4-175B

更多N沟道场效应管NEZ0910-4ASSH8N70IRFF2322SK3736LNG05R230FH6880AIRF1407PbFAOD4102SK1964MGF1102GI85T03FTD06N03NIXTR30N252SK1101IRC832

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