晶体管元件查询
型号：3CG111C
类型：PNP三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：45 V
发射极与基极反向击穿电压（BVEBO）：4 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
发射极与基极反向漏电流（IEBO）：0.1 μA
特征频率（fT）：200 MHz
直流放大系数（hFE）：25~270
芯片材质：硅
更多PNP三极管3AK333CG21E2N6703AG87B3CG2BSCA952N36452N1143BC309PCLJAN2N3312SA562TSCA94JAN2N1142BC307BCP157