晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:3DG100B
类型:NPN三极管
集电极最大耗散功率(PCM):0.1 W
集电极最大允许电流(ICM):0.02 A
集电极与基极反向击穿电压(BVCBO):40 V
集电极与发射极反向击穿电压(BVCEO):30 V
集电极与基极反向漏电流(ICBO):0.01 μA
集电极与发射极反向漏电流(ICEO):0.01 μA
特征频率(fT):150 MHz
直流放大系数(hFE):≥30
芯片材质:

更多NPN三极管2N6492G910ATF3013DG103C3DG144A3DK5A3DG103A2G910B3DK17A3DG202A3DG102D3DG11B3DG100D2SC16742SC1923

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