晶体管元件查询
型号：3DG110F
类型：NPN三极管
集电极最大耗散功率（PCM）：0.3 W
集电极最大允许电流（ICM）：0.05 A
集电极与基极反向击穿电压（BVCBO）：80 V
集电极与发射极反向击穿电压（BVCEO）：45 V
集电极与基极反向漏电流（ICBO）：0.1 μA
集电极与发射极反向漏电流（ICEO）：0.1 μA
特征频率（fT）：300 MHz
直流放大系数（hFE）：≥30
芯片材质：硅
更多NPN三极管3DG111B3DG32B3DX4B3DG44A3DG110D3DX1043DG37CBC238PCL3DG61C3DX200B2SC2216SCA433DG411BC414BPBC238PCM