晶体管元件查询

电压 V  电流 A
型号:3DG111M
类型:NPN三极管
集电极最大耗散功率(PCM):0.3 W
集电极最大允许电流(ICM):0.05 A
集电极与基极反向击穿电压(BVCBO):20 V
集电极与发射极反向击穿电压(BVCEO):15 V
集电极与基极反向漏电流(ICBO):0.5 μA
集电极与发射极反向漏电流(ICEO):0.5 μA
特征频率(fT):150 MHz
直流放大系数(hFE):25~270
芯片材质:

更多NPN三极管3DK28BAD8123DG111A3DG161C3DG304B3DX4C2SC19062SC1890A2N3566BCP1483DG304AAD8133DG31A3DG161B3DG5D

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