晶体管元件查询
型号：3N169
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.8 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.8 W
漏极电流（ID）：0.03 A
漏极和源极电压（VDSS）：25 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：200 Ω
备注：Vgs(th)≤1.5V
封装：TO-72
更多N沟道场效应管IXFX44N50QDHF85N08FTP03N50DIRFZ25LSH60R650HTLSB65R099GFSTB9NK70Z-1FLM5359-14NEZ0910-6A2SK1885FLR054XVIRL53010N60IRFK2F350STB9NK70Z