晶体管元件查询
型号：4N65F
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：35 W
漏极电流（ID）：
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
【环境温度（Ta）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：650 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.6 Ω
封装：ITO-220
更多N沟道场效应管IRF2342SK378DHB130N03IRFS821MGF4304A2N6758SSH10N90(A)SGF600N60W3IRFP064NPbFCMP100N03MGF1412IRFF430FHD120N7F6AIPP100N06S2-05(PN0605)2SK1404