晶体管元件查询
型号：80R900
类型：N沟道场效应管
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】6 A
漏极和源极电压（VDSS）：800 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.9 Ω
总耗散功率（Ptot）：7 W
封装：SOT-23
更多N沟道场效应管LSB60R125HT80NF70FLS02WIRFB3607PbF30N03IRFF110STF18N60M2FLM6472-6DIRF100S201IRFH3502SK606FTP16N06NDHI100N03BSN304IRFK4H150