晶体管元件查询
型号：9N50B
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：44 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】9 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】9 A
漏极和源极电压（VDSS）：500 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：1 Ω
封装：TO-220F
更多N沟道场效应管IRFM3602SK2327KNF4365AIXFK32N60SSF10N90AFTP08N50DSGW210N60SJJCS8N60CSTH60N10IRF840B2SK3565LSE60R125HTMS5N6020N15IPA60R299CP(6R299P)