晶体管元件查询
型号：APT26F120B2
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1135 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1135 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】27 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】27 A
漏极和源极电压（VDSS）：1200 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.58 Ω
封装：TO-247
更多N沟道场效应管2SK3460LSD65R650HTIRF240SGW145N60W3RF1S70N03KGF1800DHE0159FHC31FA/LGDHB180N10SGB360N70W3HY3403DIRCP054SIF12N65CFDP032N089N90