晶体管元件查询
型号：BA5N10
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】30 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】10 A
漏极和源极电压（VDSS）：100 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.15 Ω
封装：TO-252
更多N沟道场效应管SVF2N60TSTW12NK90ZSGF280N80W3JCS730CIRF641IRF252BUK563-48CIPB80N04S4-03(4N0403)FDPF12N50NDHD180N10PHD50N06LT2SK1057FTD36N06N12N60IRF520A