晶体管元件查询
型号：BR4N60
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：100 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】4 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：2.5 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管3SK1132SK3868LNC04R050LSDN60R950HT13N60-MLSTP50NF25MXP84D7ATMDF12N50MDF18N50FLM4450-14/DFQD20N06TMFHR02XIRFJ230SPTA65R1602SK457