晶体管元件查询
型号：CS1N60C1H
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：3 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】1 A
漏极和源极电压（VDSS）：600 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：10.5 Ω
封装：TO-92
更多N沟道场效应管SSH6N808N90MGFK38V2228MDF12N50BUZ231LNG045R090MGF2430RFG40N10CS120N08SGF420N80W32N7219IXTH30N25BUZ14EMA09N03CSFBM120N80A