晶体管元件查询
型号：DN2540N3
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：1 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.12 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】0.12 A
漏极和源极电压（VDSS）：400 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：25 Ω
备注：耗尽型
封装：TO-92
更多N沟道场效应管MT3205IRFJ441MGF2124GFSA07N60AMGF1904MGFK30M4045P6N60MGFC36V7177IRCZ34DHB180N10PHB50N06LTFHP80N06BSiHP16N50CSGU660N65W3BRU20N90