晶体管元件查询
型号：FDA59N30
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：500 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】59 A
漏极和源极电压（VDSS）：300 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.056 Ω
封装：TO-3PN
更多N沟道场效应管FLS09MESTW6NB90SVF7N65CMJL34N80STU11NA60MMD60R580PBLNH10R180CSD19505KCSJCS4N65CIRFK2D25050N25SUV90N06-05FHD5N60A07N60C3STB11NM60T4