晶体管元件查询
型号：FP50N06
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 W
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】120 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】50 A
漏极和源极电压（VDSS）：60 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.022 Ω
封装：TO-220
更多N沟道场效应管IRFS1Z3IRFD020HY3410PFLR024XP/XV2SK13582SK163MGF2407ALNL045R210IRF3205FQP8N60CIRF732LNC10R180FHP150N03C2SK3299JCS7N65SB