晶体管元件查询
型号：FQA11N90
类型：N沟道场效应管
耗散功率（PD）：300 W
漏极电流（ID）：
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11.4 A
【管壳温度（Tc）＝25 ℃】11.4 A
漏极和源极电压（VDSS）：900 V
漏极和源极通态电阻（RDS(on)）：0.96 Ω
封装：TO-3P
更多N沟道场效应管STF26N60M2YMP130N08QFHF540MGFX38V1722SMT10N602SK60IRF740S2SK1407STW8NA80NCE40H12IDHF150N10DHE90N035RLNE12N65YFW20N60A8(20N60AF)CRSS052N08N